بر اساس ابررساناهای اکسیدی با دمای بالا ساخته شده است. برای اولین بار سرامیک Bula در سال 1986 توسط J. Bednorz و K. Müller ساخته شد که جایزه دریافت کردند. جایزه نوبل... Ceramica Bula بر اساس لانتانیم، نوار و اکسید مدی (La 2-x Ba x CuO 4) تهیه می شود و مقدار کوچک آن در برخی موارد در آن ساعت بسیار زیاد است. مواد ابررسانا دمای انتقال بیش از سیم Тс = 35 K. از طریق rіk قبل از هسته P. Chu Bula، سرامیک بر اساس محیط іtri-barіy-oxide YBa 2 Cu 3 O 7-x З Тс = 93 ک . سریع بودن آزمایش، ارائه یک راه حل امیدوارکننده برای ذخیره سازی عملی را ممکن کرد.

سرامیک های روی سیم با دمای بالا، مشابه مواد سرامیکی خارق العاده، از پودرهای اکسید تهیه می شوند. حذف ابررساناهای اکسید سرامیکی با دمای بالا، از جمله آغاز مراحل اصلی: افزودن اجزای ثانویه مخلوط، همگن سازی مخلوط، سنتز در دمای بالا (در دمای 800-1100 درجه سانتیگراد) شامل اشکال صنعتی و چنین

روی استحکام و ریزساختار ماده، باید تزریق قوی پودر و سنتز اعمال شود. مواد سرامیکی برای جایگزینی دانه های غیر جهت دار، متخلخل و حتی اغلب خانه فازهای شخص ثالث. هنگام سنتز سرامیک‌های ابررسانا با دمای بالا، پودرهای ریز پراکنده را می‌توان در دماهای پایین‌تر و با دانه‌های درشت زینتر کرد. این اجازه می دهد تا تعداد قابل توجهی از فاز بارور و تغییر شکل چشم را شناسایی کنید. ورود تعداد کمی از اکسیدهای خانگی به انبار اصلی بر قدرت سرامیک ها با اتخاذ بافت لازم دلالت مثبت دارد.

قدرت مکانیکی و الکترومغناطیسی VTNP یک سرامیک بدون ساختار متوسط ​​با ساختار نسبتاً ناهمگن است که از دانه‌ها، منافذ و نقص‌های ریز ذخیره می‌شود که معمولاً بین دانه‌ای موضعی هستند. شکل گیری و تشکیل ریزساختارهای سرامیک های بدون سیم در فرآیند گرم شدن با در نظر گرفتن تنش داخلی و مواد روباتیک در حالت های مختلف مکانیکی و حرارتی انجام می شود. سرامیک های بالاتر از رسانا از گرانول های بیش از حد رسانا ذخیره می شوند که مشخصه آن رسیدن به ظرفیت فنی بحرانی بالا jcr است، اما از آنجایی که jcr پایین در فضاهای دانه ای کوچک وجود دارد، تسریع جریان انتقال در دماهای بالا بسیار مهم است.

تا ساعت کنونی، دستیابی به تعداد زیادی از سرامیک های بدون سیم مجاز است که در انبارهای آنها Y، Ba، La، Nd، Sm، Eu، Cd، Ho، Er، Tm، Lu قرار می گیرند. برای سرامیک های سیچ، به نمونه های آزمایشی دمای انتقال بالای سیم در محدوده دمایی 86 کلوین تا 135 کلوین داده می شود.

Nibilsh با پسوند є سرامیک لانتانیم (La1-xBa) 2CuO1-y s Tc = 56 K، سرامیک ایتریم بر اساس Y-Ba-Cu-Os Tc = 91 K، سرامیک بیسموت بر اساس Bi-Sr-Ca-O s Tc = 115 K، سرامیک talієvo بر اساس Tl-Ba-Ca-Cu-O با Тс = 119 К، سرامیک جیوه HgBa2Ca2Cu3O8 + x با Тс = 135 K.

این فناوری توسط فناوری سرامیک‌های بافت‌دار otrimannyu شکسته شده است، زیرا این امکان را فراهم می‌کند که استرم با دستورات بزرگی بهبود یابد. Alle otrimannya برای به پایان رساندن ویروب های عالی، یک دارت یا یک خط از راهنماهای سرامیک با دمای بالا باید آن را با یک کار تکنولوژیکی تاشو به پایان برساند. عناصر فشرده فشرده با فرم های کوچک و اندازه های استاندارد، به عنوان یک قاعده، آنها از سرامیک های ابررسانای اکسیدی Y-Ba-Cu-O ساخته شده اند و کامپوزیت های بیشتری بر اساس آلیاژهای Bi-Pb-Sr-Ca ساخته شده اند. چنین ویروس‌هایی ممکن است در دماهای با نیتروژن کم و ویژگی‌های پایین‌تر و دارای جریان بالا، اثر رسانایی بیش از حد داشته باشند و امکان تغییر قابل‌توجه در مقیاس جرمی ضمیمه‌های الکتریکی، کاهش بازده و راندمان را فراهم کنند.

برای اجزای محدوده LHF، مشخص است که لایه‌های نازکی از سرامیک‌های VTNP بر روی پدهای تک کریستالی قرار گرفته‌اند. به عنوان یک قاعده، قبل از پارامترهای اصلی شناورهای VTNP، لازم است پارامترها و رد مغناطیسی انجام شود. Їх برای تزئین پرونده ها برای پوشش با لیزر و بخارهای مبادله الکترونیکی، رسوب شیمیایی از فاز گاز، برش مستقیم و راکتیو کاتد، فرآیندهای تبادل مولکولی.

ورود

قبل از انتقال فاز دمای پایین به حالت‌های نوسانات (FP) و شبه گپ (PS) در HTNP از نیمه راه، که در یک آسیاب معمولی در دماهای نزدیک به بحرانی ارتقا می‌یابند (T س ) در ساعت دانمارکی احترام زیادی وجود دارد. درگیر شدن با تظاهرات گاه به گاه ارزشمند است، اما خود تظاهرات فیزیکی می تواند به عنوان کلیدی برای آشتی ماهیت VTNP عمل کند. دو سناریو اصلی برای تعیین ناهنجاری شبه شکاف در سیستم‌های HTNP به شدت در dzherels ادبی مورد بحث قرار می‌گیرند. در واقع تا اول، تعیین PS مربوط به نوسانات از نوع "دی الکتریک" مرتبه نزدیک است، به عنوان مثال، نوسانات ضد فرومغناطیس، بارهای بار و تحمل اسپین، و غیره. س با ایجاد بیشتر انسجام فاز در T< Tج ... در میان ربات‌های نظری، که دیدگاهی به یکدیگر نشان می‌دهند، به معنای تئوری متقاطع از مکانیسم BCS به مکانیسم تراکم بوز-اینشتین است. چه زمانی تمام شود دقت بالامقدار شبه خط در طیف وسیعی از دماها به دلیل میزان رسوبات امکان پذیر است ?ab (T) (مرجع الکتریکی در ناحیه پایه) در دماهای کمتر از مقدار مشخصه T * (دمای باز شدن خط شبه).

امیدوار کننده ترین برای vivcheniya در کل جنبه є spoluky Y 1با 2مس 3O 7-?با جایگزینی مرحله سوم با آنالوگ های ایزوالکترونیک و همچنین تغییر مرحله غیراستوکیومتری اسیدی، امکان تنوع گسترده ای از گزینه ها در انبار وجود دارد. علاقه خاص با تغییر Y به Pr، yak، از یک طرف، برای رساندن بیش از حد به نقطه نشان داده می شود. ?..در برخی ربات‌ها، می‌توان یک خانه کوچک (تا z ≤ 0.05) را با Pr به حالت PS در تک کریستال‌های Y تزریق کرد. 1-z Pr z با 2مس 3O 7-?دمای بحرانی بالا (T ج ) І توسط سیستمی از DGهای تک جهتی وقتی که بردار پایه حمل و نقل I؟ DG، اگر سوخت به فرآیندهای توسعه بینی در کوچکترین تزریق شود. یعنی ظرفیت پراسئودیمیم (+4) از ظرفیت سوم (+3) گرفته شده است که برای غلظت دانه در پس زمینه Y می توان آن را در راخونکای جوز هندی ریخت. 1-z Pr z با 2مس 3O 7-?و پارامترهای حیاتی برای لگووانی

1. اوگلیاد ادبی

1 ناظر دمای بالا (HTNP)

1.1 مقدار VTNP

ناظران دمای بالا (T بالا ج ) - خانواده ای از مواد (سرامیک های روی دیوار) از ویژگی های ساختاری خارج از مسیر، که می تواند با دید بسیار خوب مناطق متوسط ​​ترش مشخص شود. آنها همچنین ابررساناهای مبتنی بر جام نامیده می شوند. دمای گذرگاه روگذر، همانطور که می توان در برخی از انبارها در کل خانواده به آن رسید، که در وسط تمام منبع برق یافت می شود. به طور معمول (و بسیار زیاد) من شروع به نشان دادن بسیاری از ویژگی های خاص برای cuprates با آن خواهم کرد انبارهای کوچک; بسیاری از قدرت ها را نمی توان در چارچوب نظریه BCS توضیح داد. من یک تئوری منفرد و پس از تاریخ در مورد تأمین بیش از حد در کوپرات ها در ساعت معین می خواهم، نه واقعاً. اعتراض، مشکل داده شده منجر به ظهور نتایج تجربی و نظری مهمی شده است و علاقه به کل منطقه کنترل جغرافیایی تنها در سطح بیش از حد در دمای اتاق نیست. برای آزمایش آزمایشی اولین ناظر درجه حرارت بالا در سال 1987، جایزه نوبل به اشتباه اعطا شد.

1.2 ساختار

). تمام سیستم های اساسی VTNP ساختار شاروات را پنهان می کنند. در شکل 1.1 ساختار خط وسط ابتدایی VTNP-z'єdnannya YBa را برای باسن نشان می دهد. 2مس 3O 7... Zvertaє روی خودم من به مقدار پارامتر شبکه در جهت درست محور "c" احترام می گذارم. برای YBA 2مس 3O7 s = 11.7A.

کم اهمیت. 1.1 ساختار تجارت ابتدایی VTNP-z'єднання YBa 2 مس 3O 7

). ناهمسانگردی قدرت های چنین اسپولوک ممکن شده است. به عنوان یک قانون سرانگشتی برای بزرگ n - پرتاب (هوچا و زباله) در منطقه "ab"، و رفتار استانی را در خط سوم مستقیم، پل زدن محور "s" ببینید. آل با بوی تعفن کامل є ابررسانا.

). برای برخی از سیستم های HTNP، مدولاسیون روبنائی شبکه، به عنوان مثال، در سیستم های Bi 2پدر 2حدود n-1 مس n O ?... Є همبستگی مفرد T ج از دوره چرخه مدولاسیون.

). تصویب ساختاری غیر اختصاصی بیشتر، که در

سیستم های VTNP، به اصطلاح "نوار". "Stripe" یک مدولاسیون فوق ساختاری قدرت شارژ است. دوره Їх تبدیل به آنگستروم می شود. به عنوان یک قاعده، زنجیره پویایی و تعفن در تغییر مقامات VTNP آشکار می شود. با این حال، هنگامی که خانه معرفی می شود، بوی تعفن را می توان روی عیوب "ذخیره" کرد و در آمار نمایش داده می شود.

1.3 دمای پشتیبانی R (T)

در باگاتوک کوپراتنیه VTNP R (T)، عملاً به صورت خطی از دمای T. Butt برای YBa دراز کشیدن عملی است. 2مس 3O 7 در شکل نشان داده شده است. 1.2. قیمت در منطقه تغییر کرد ab ... شگفت انگیز است که در تصاویر تمیز برون یابی آیش در منطقه دمای پایین می توان به گونه ای انجام داد که کاملاً در تمام طول روز باشد. در تعدادی از VTNP های دیگر با T پایین تر ج ، لازم است رسانایی را با یک میدان مغناطیسی خفه کنیم، تجمع خط R (T) حتی تا دماهای پایین درست است. این خط آیش در یک محدوده دمایی حتی گسترده تر شایع تر است: ~ 10 -3تا 600K (در دماهای بالاتر، غلظت ترش کردن نیز تغییر می کند). قیمت برای فلز کاملا بی رقیب است. برای شفاف سازی، از مدل های جداگانه استفاده شد (مکانیسم غیر فونونی توسعه بینی ها، تغییر غلظت الکترون ها از T و در.). با این حال، مشکل هنوز تا پایان حل نشده است.

در شکل 1.3 رسوب دمایی پشتیبانی از VTNP-z'єdnannya YBa را نشان می دهد 2مس 3O 7 اوزدوژ «س» بود. پنهان napivprovidnikovy، و ارزش پشتیبانی حدود 1000 برابر بیشتر است.

کم اهمیت. 1.2 دمای پشتیبانی YBa 2مس 3O 7 در منطقه "ab"

شکل 1.3 تجمع دمای پشتیبانی YBa 2مس 3O 7 محور "s" uzdovzh

2 شبه خط و نمودار فاز

2.1 شبه خطوط

یکی دیگر از پدیده های منحصر به فرد، چگونه فقط در HTSC ظاهر می شود؟ شبه شکاف؟ *. در دماهای T *> T ج استحکام استانیس در سطح مزرعه در حال تغییر است: در قسمتی از سطح استحکام ستان در حال تغییر است. پایین تر از درجه حرارت T * іsnannya іsnu در ارزان "عادی" stanі - stanі از خط شبه. مقدار T * در مقدار کم leguvannya می تواند به مقدار 300-600K برای سیستم های VTNP کم برسد، به طوری که مقدار T به شدت معکوس می شود. ج ... در ناحیه ضعیف Leguvannya T * zrostannyam rivnya leguvannya می افتد، در آن ساعت یاک Ts رشد

یک شکاف کاذب در مورد تونل زنی، فوتومیزی، ظرفیت گرمایی و قدرت VTNP خود را نشان می دهد. در همان ساعت اجرای چشم در تی 2مس 3O 7-?i BiSrCaCuO. بدون توجه به روزت عالی از نکات تجربی، می بینید که چه؟ * آیا می توانم غنیمت بیشتری دریافت کنم؟ و حداکثر 80-100 میلی ولت.

کم اهمیت. 1.4 آیا خط شبه وجود دارد؟ * نوع غلظت مسیرها برای سیستم های VTNP YBa 2مس 3O 7-? i BiSrCaCuO. بزرگی عرض شبه خط از پشت تونل ها (مربع)، گرما (نقاط) و روش ARPES (رومبی ها) شروع شد. خط نقطه چین؟ (P) = 5kTc (p)

برای روشن شدن آسیاب شبه شیاردار، سه مدل پایه پیشنهاد شد [5]:

). نوسانات فاز پارامتر می تواند به اندازه دامنه بزرگی باشد که دمای انتقال به SP stan از T * به T کاهش یابد. ج ... به طور کلی، کوپر روی الکترون ها در T> T شرط بندی می کند ج іsnutyt، ale "نوسانات".

). در T *، یک جفت الکترون پایدار برقرار می‌شود (مانند راهنماهای اسراف‌آمیز)، اعتراض منسجم نیست، بنابراین تراکم بوز درست تا T = T اصرار ندارد. ج ... تراکم بوز (ایجاد یک حالت منسجم) در Tc رخ می دهد .

ممکن است خطای سناریو نادیده گرفته شود، زیرا سطح انسجام ("گسترش شرط") در VTNP حتی کوچک است. با این حال، تعدادی آزمایش برای نظارت بر دامنه سناریوها و در مورد استقلال وجود دارد؟ * І overprovidnaya شیلینی؟. به عنوان مثال، به گفته بی 2پدر 2CuO 6لغزش های متخلف را می توان حتی تا دمای پایین هدایت کرد.

Vidomo و tverdzhennya، چگونه می توان بر داده های مدل نظارت کرد، در چه مواردی؟ * Є peer?: در میدان مغناطیسی ?? 0، در آن ساعت یاک؟ * بیرون زمین ضعیف است. آیا می خواهید در مورد طبیعت از visnovok بترسید؟ * من؟ آیا شکاف کاذب در ربات وجود دارد؟ * حمایت مالی در پوست ویخوریف. آیا بهای اندیشه نویسندگان دلیلی بر نازک بودن طبیعت است؟ من؟ *. ما دیگر نمی توانیم زنجیره visnovok را تغییر دهیم، زیرا میدان مغناطیسی مهمتر از خفه کردن یک شرط است، تراکم کمتر به طور کلی.

). آنتی فرومغناطیس به منظور ایجاد تا ایجاد منطقه "مغناطیسی" بریلوئن با تغییر در دوره در k - فضا. Tse به نوبه خود در دمای T * تولید می کند تا زمانی که یک شکاف دی الکتریک روی سطح فرمی (بنابراین عنوان لانه سازی) برای اعمال در کریستال ایجاد شود.

یک فکر هنوز گنگ است. ممکن است، به عنوان یک آسیاب شبه شکاف، خود را به عنوان یک شکاف دی الکتریک در چند خط مستقیم تثبیت کند، و در همان ساعت یک جفت الکترون نامنسجم (drok) پیدا کند.

2.2 نمودار فاز

انواع نمودارهای فاز معمولی VTNP-cuprates در شکل نشان داده شده است. 1.5. نادرست از غلظت بینی در استروما (که به عنوان یک قاعده تیره می شود) در ناحیه بسیار رسانا CuO 2تعدادی از فازها و مناطق با غیر طبیعی مقامات فیزیکی... در منطقه، غلظت های کمی از dyrok، همه انواع VTNP-cuprati є آنتی فرومغناطیس با عوامل الکتریکی وجود دارد. تنظیم شده برای غلظت بینی در استام، دمای نیل T ن به سرعت در مقادیر مرتبه دسیلکوه صدها درجه کلوین کاهش می یابد و زمانی که غلظت قطرات p کمتر از مرتبه 0.05 باشد به صفر تبدیل می شود و سیستم تبدیل به فلز (فاسد) می شود. با افزایش کمی در غلظت قطرات، سیستم رشد سربارها، علاوه بر این، دمای انتقال سربار رشد با افزایش غلظت هسته ها افزایش می یابد و از حداکثر مشخصه در p عبور می کند. 0~ 0.15-0.17 (دوپینگ بهینه است)، و سپس تغییر در p ~ 0.25-0.30 تغییر می کند، اگر در ناحیه (بیش از حد دوپینگ) رفتار فلز تشخیص داده شود. برای tsom در منطقه p> p 0قدرت فلزی برای تکمیل سنت (رفتار مستقل از مزرعه)، تودی یاک در ص 0سیستم є با فلز غیرعادی، که به نظر تعداد زیادی از نویسندگان، نظریه مزرعه توصیف نشده است.

ناهنجاری های مقامات فیزیکی، مانند بستن یک آسیاب شبه شکاف در یک ساعت معین، در فاز فلزی در p. 0درجه حرارت T *، دی تی *تغییر دما به ترتیب T ن در p ~ 0.05، در deyak_y به صفر بپیچید بحرانی غلظت بینی p ج ، صفحه را کمی تغییر دهید 0(شکل 1.5A). به عنوان مثال، به راحتی می توان فهمید که آیا p = p ج ? 0.19. در مورد فکر تعدادی از نویسندگان (عمدتاً به دلیل ماهیت ابررسانایی خط شبه) T *با انحنا عصبانی شوید، به طوری که ناحیه پایه بالای بدن T ج نزدیک به غلظت بهینه p 0(شکل 1.5b). با این حال، تعداد زیادی از داده‌های آزمایشی جدید برای همه گزینه‌های نمودارهای فاز بهتر است، قرائت شده در شکل. 1.5A. باید مقدار T را پذیرفت *در ایده مقدمات بزرگ، من به دمای هیچ انتقال فازی اهمیت نمی دهم، اما به سادگی مقیاس مشخصه دما را تنظیم می کنم، پایین تر از سیستم، یک ناهنجاری شبه گپ وجود دارد. اینکه آیا ویژگی های خاصی از مقادیر ترمودینامیکی مشخصه انتقال فاز در کل منطقه نمودارهای فاز وجود دارد به سادگی قابل مشاهده است. ستون فقرات بنگاه در این است که همه ناهنجاری ها به ساده ترین شکل به خفه بودن (در این منطقه) اعجوبه های ساختمان های تک قسمتی، نزدیک به مفاهیم شبه ولایتی فرمی گره خورده است. برای ts، مقدار T *فقط متناسب با عرض پر انرژی خط شبه. یکی دیگر از مقیاس دمای مشخصه T *2Yak tse در شکل نشان داده شده است. 1.5b، چگونه با انتقال به حالت ارتباط برقرار کنیم ضعیف شبه خط به حالت قوی خطوط شبه، که مطابق با ماهیت سیستم چرخش در مجاورت دما زمین می شوند.

الکترواپیر شبه نور ناظر

کم اهمیت. 1.5 انواع نمودارهای فاز VTNP-cuprates

3 مدل نظری آسیاب شبه اسلات

عطف به نمودار فاز، نشان داده شده در شکل. 1.5 من برای خط احترام خاصی قائل هستم، Yak T را نشان می دهم *... قبلاً برای مدت طولانی ذکر شده است که قدرت فاز فلزی معمولی برای کوپرات های کم دوپ شده و بیش از حد دوپ شده به شدت کاهش می یابد. در آخرین قطره، فاز فلزی با تصویر مزرعه-ریدینی به خوبی توضیح داده شده است: - سطح مزرعه خوب است و شبه ذرات وقتی به آن نزدیک است خاموش می شوند. در برخی از سیستم های بدون دوپه در دماهای پایین (T *) ناهنجاری های کلیه مراجع الکترونیکی سامانه ترویج می شود. تغییر اختیار در صورت واژگونی خط T *نه برای پوشیدن یک شخصیت تیز و نه یک انتقال فاز، بلکه یک متقاطع از یک مزرعه مارپیچ به یک اردوگاه شبه شکاف است. درک خود از کمپ شبه شکاف به معنای اولین کاهش در اندازه کمپ در سطح مزرعه است. در مورد قیمت، zokrem، velmy لطفا خط کنفرانس را تغییر دهید ? در گرمایش الکتریکی و ریختن مغناطیسی پولین ?0هنگام عبور از خط T *و به ویژه داده های مربوط به آزمایش های تونل زنی و طیف سنجی PES-ARPES با تفکیک زاویه.

روش ARPES به چگالی طیفی شبه ذرات در حومه سطح فرمی اجازه می دهد تا در سطح فرمی قابل مشاهده باشد. به نظر می رسد که در تمام کلاس های قبل از تنبلی VTNP-Cuprates، این پدیده مشخص است: خراب شدن بخشی از سطح افسار فرمی به طور مستقیم (0، k y ) من (0، k ایکس ) مناطق بریلوئن، تودی یاک در رشته های مورب (k ایکس ، ک y ) در بالای مزرعه، احساس حساسی می شود: هنگام عبور از آن، شدت طیف ARPES به شدت کاهش می یابد. مستقیم به جلو (0, k y ) من (ک ایکس , 0) تغییر توان A (k, ?) در یک بازه وسیع اجرا کنید، و با یک شبه تکانه ثابت، توان A (k، ?) یک سازه دو کوهانه با حداقل وجود دارد coli سطح فرمی، مانند іnuvala b برای عرض آسیاب شبه شکاف، به عنوان مثال، در T> T *. بحث مفصلی از این پدیده قرار است در دورهای گزارش سادوسکی انتقام بگیرد. در چنین رتبه ای، در VTNP-cuprates، سطح Fermi maє قوس دار شخصیت، به منظور صرفه جویی در قوس ها، به خطوط مستقیم مورب منطقه بریلوئن متصل شود.

مغناطیس دینامیک به وضوح برای سیستم های فلزی، که در یک اردوگاه نزدیک به نظم ضد فرومغناطیسی قرار دارد.

(1.1)

در اینجا Q = (± ?, ?) بردار مناسب ساختار ضد فرومغناطیسی در فاز دی الکتریک است، ?س - نوسانات فرکانس، ?-افزایش مرتبط در نوسانات اسپین. تعامل الکترونیک با نوسانات اسپین به طور متناسب ?(س، ?تام برای الکترون‌های آرام در سطح مزرعه، بردارهای آن‌هایی که نزدیک به حلقه‌های ناحیه مغناطیسی بریلوئن هستند، یا برای الکترون‌هایی که بر روی صفحات صاف روی سطح مزرعه نصب شده‌اند (که مد هستند). آسیاب شبه شکاف ظاهر می شود: مدل داغ نقاط من مدل داغ dalyanok در نزدیکی سطح مزرعه. سیستم‌های کم دوپ شده در نزدیکی ناحیه نیمه پهنه‌بندی قرار دارند، به طوری که سطح فرمی، بدون اغتشاش توسط همبستگی‌های ناحیه‌ای، نزدیک به ناحیه مغناطیسی بریلوئن قرار می‌گیرد و برای اجرای یکی از دو مدل پشتیبانی شده غیرممکن است.

بستن داغ نقاط منطقه k-فضای با عرض ?-1الکترون ها به دلیل تغییر ضربه به بردار Q به شدت پراکنده می شوند تا یک خط شبه در حومه این نقاط ایجاد شود، احتمالاً قبل از آن، همانطور که در کل سطح مزرعه، میدان با ظاهر یک فاز تکمیل شود. آنتی فروما اگر دینامیک نوسانات اسپین و نوسانات استاتیکی گاوسی باشد، به همین ترتیب، دانش در مورد تعامل الکترونیک با چنین نوساناتی می تواند برای درستی صحیح باشد. نتایج فهرست‌ها بر ماهیت شبه شکاف آسیاب‌های الکترونیکی روی دالانک‌های داغ سطوح مزرعه تأثیر می‌گذارد، که انعطاف‌پذیر، پاشیده شده، ساختار دو کوهانه قدرت طیفی آسیاب‌ها هستند.

کم اهمیت. 1.6. (آ). سطح خرپا در منطقه بریلوئن و مدل نقاط داغ ... خطوط بریده شده ناحیه بین مغناطیسی بریلوئن را نشان می دهد که نتیجه دوره ای است که با ظهور آنتی فرومغناطیس همراه است. داغ نقاط-نقاط از مرزهای ناحیه مغناطیسی از سطح فرمی سرریز می شوند.

(ب). سطح مزرعه در مدل غذاهای گرم (با خطوط پررنگ نشان داده شده است)، عرض یاک ~ ?-1... kut ?viznachaє rozmir داغ دیلیانکی , ?=?/ 4 نوع سطح مربع خرپا

1.4 روش های حذف هادی های بالای سر با دمای بالا

روش های رد ناظران درجه حرارت بالا در وهله اول توسط این کارمندان آغاز می شود، زیرا آنها مواد VTNP برتر و جانشین را برای اهداف تجاری در مقابل خود قرار می دهند. بنابراین برای تهیه ویروب های عظیم از مواد VTNP، لازم است روش هایی برای حذف مقادیر زیادی از مواد VTNP در آسیاب پلی کریستالی ایجاد شود. برای اهداف الکترونیک مایکروویو، لازم است روش هایی برای حذف ضربات همپایی با پارامترهای بحرانی بالا ایجاد شود. برای دانش اساسی در مورد ماهیت VTNP، روش های رد کامل (و در مورد YBa) بسیار ضروری است. 2مس 3O 7-?و دوبل رایگان) تک کریستال های VTNP.

برای رد VTNP-zrazkіv با قدرت بحرانی بالا در تهیه چنین پودرهای پیش ساز اهمیت زیادی دارد. از جمله روش های حذف چنین پودرهایی از YBa 2مس 3O 7-?(Dal YBCO) تهاجمی نامیده می شود: واکنش استاندارد فازهای جامد و رسوب شیمیایی، اسپری پلاسما، خشک شدن در نیتروژن مایع، اسپری خشک کردن و سنتز اکسیداتیو، روش سل-ژل، روش استات و واکنش های فاز گاز. روش استاندارد برای حذف بیش از حد پودرهای سرامیکی شامل یک بطری اتاپیو است. بسیاری از مواد خارج از جعبه در رابطه مولی آواز برای فرآیند اضافی "اختلاط-ذوب" یا تغییر فاز مایع تغییر می کنند. در عین حال، یکنواختی مجموع توسط اندازه ذرات احاطه شده است و بهترین نتیجه را می توان برای ذرات با اندازه های کمتر از 1 میکرون بدست آورد. در پودرهای بسیار ریز (با اندازه ذرات کمتر از 1 میکرون)، اغلب از جداسازی ذرات جلوگیری می شود که منجر به از بین رفتن اختلاط می شود. در صورت کاهش فاز مایع می توان این مشکل را به حداقل رساند که از کنترل ترکیب و یکنواختی شیمی جلوگیری می کند. علاوه بر این، کل تکنولوژی تصفیه فرآیند ریختن در وسط در طول دلیل و مخلوط کردن پودرها. در مراکز غنی از اجزاء، مانند VTNP، فرآیند تغییر نقش کلیدی در حذف خلوص فاز بالا. Visokoyakisna sumish از واکنش های سریع جلوگیری می کند. چنین پودرهایی در حین کلسینه کردن به دمای کمتر و یک ساعت برای رسیدن به خلوص فاز کامل نیاز دارند. در مرحله آویزان کردن قلاب بافی، یا دیدن توزیع کننده، برای حفظ یکنواختی شیمیایی که در فرآیند تغییر به دست آمده است، لازم است. برای سیستم‌های اجزای با عیار بالا (VTNP)، دید razchinnitsa در صورت تبخیر بیش از حد می‌تواند علاوه بر تخریب اجزاء، منجر به یک رسوب حتی غیریکنواخت شود. برای به حداقل رساندن مشکل مشکل، مطالعه توسعه فناوری ها از جمله فنرها، فرآیندهای تصعید، فیلتراسیون و ing ضروری است. پودرها خشک می شوند تا در یک اتمسفر کنترل شده کلسینه شوند تا ترکیب ساختاری و فازی نهایی حاصل شود. حالت واکنش برای سیستم‌های YBCO بر اساس پارامترهای تکنولوژیکی است، مانند: دما و ساعت کلسیناسیون، سیالیت گرمایش، اتمسفر (فشار جزئی اسیدیته) و فاز. همچنین می توان پودر را بدون نیاز به یک ثانیه با استفاده از فن آوری اضافی پیرولیز یا حذف الکتریسیته به وسیله انتقال اضافی پایه از طریق سیم، سنتز کرد. در عین حال، نوسانات کوچک ترکیب می تواند منجر به تشکیل فازهای عادی (غیر رسانا) شود، مانند: Y 2BaCuO 5، CuO і BaCuO 2... پیروزی در پیش سازهای حاوی زغال سنگ نیز می تواند تشکیل فاز YBa را تسریع کند 2مس 3O 7-?і به پایین آوردن مقامات غالب. در مغازه خودم، پودر برای حذف اسپری های بیش از حد سیم در انبار Bi (Pb) -Sr-Ca-Cu-O (BSCCO dal) را می توان برای واکنش فاز جامد اضافی، رسوب همزمان، تجزیه در اثر حرارت اسپری آئروسل، فرآیند خشک کردن آماده کرد. ، میکروامولسیون یا روش سل-ژل. روش‌های استاندارد برای رد پودرهای پیش‌ساز بیش از حد رسانا، که هنگام تهیه خطوط و سیم‌های BSCCO پیروز می‌شوند، روش‌های سنتز «یک پودر» و «دو پودر» هستند. برای اولین بار، پیش ساز در نتیجه کلسیفیکاسیون مجموع اکسیدها و کربنات ها ایجاد می شود. برای دیگری - برای انجام vipalennya sumіshі دو cuprat z'єdnan. نقطه‌گذاری ذهن‌ها به شما امکان می‌دهد تصاویر چند بلوری را برای دستیابی به تغییرات بزرگ رد کنید (به عنوان مثال، برای آهنرباهای انتقال آهنربای الکتریکی بدون تماس سیستم‌های حمل و نقل).

اگر سنتز طعم‌های VTNP (yak YBCO و همچنین سایر سیستم‌ها) درگیر باشد، روش‌های یک (درجا) و دو مرحله‌ای (ex situ) راکد می‌شوند. برای اولین بار، کریستالیزاسیون براده ها بدون اولویت در فرآیند پر کردن انجام می شود و در طی چند ذهن اول، رشد اپیتاکسیال رخ می دهد. در دیگری، نوشیدنی را می توان در دمای پایین نوشید که برای تشکیل ساختار کریستالی لازم کافی نیست و سپس بوی بد در فضای O جذب می شود. 2در دماهایی که از تبلور فاز لازم جلوگیری می کند (به عنوان مثال، برای شناورهای YBCO، دما 900-950 است. 0با). اکثر روش های یک مرحله ای در دماهای پایین، پایین و پایین اجرا می شوند که برای حذف نوشیدنی ها در دو مرحله لازم است. دمای بالا شکل یک کریستال بزرگ و یک سطح کوتاه را تبخیر کرد که با نیمرخ پایین یک پایه بحرانی شروع می شد. تام، اسپاتکو، روش های درجا بره زایی. برای روش‌های رد و تحویل اجزا در VTNP، روش‌های فیزیکی پر کردن توسعه داده شده‌اند که شامل تبخیر و پر کردن همه کاره و همچنین روش‌های شیمیایی بارش می‌شود.

روش‌های تبخیر همزمان خلاء را می‌توان در یک ساعت یا آخرین بار (توپ به توپ) برای بازسازی اجزای VTNP استفاده کرد، به طوری که می‌توان آن‌ها را از dzherel جوان برای کمک تبخیر کرد، به عنوان مثال، تسمه‌های تعویض شده الکترونیکی یا مقاومتی. Otrimuvani برای چنین فن آوری از قایق قربانی برای مقامات ناظر خود را به نحوه استفاده از روش های لیزر یا مگنترون براده. روش تبخیر همزمان خلاء در سنتز دو مرحله ای vikoristovuyutsya است، اگر معنای اصلی ساختار مهره ها از بین نرود، در مرحله اول نوشیده می شود و در آنها ترش است.

تبخیر لیزری هنگام برش دانه های VTNP بسیار موثر است. کل روش سادگی در اجرا، اره بسیار سریع و آسان است و امکان تولید اهداف کوچک را فراهم می کند. سردرد یوگو є با این حال، خوب است که تمام عناصر شیمیایی، چگونه در ماموریت انتقام بگیریم. با بخار کردن اهداف با ذهن های آوازخوان، می توان بخارات چنین انباری را مانند خود اهداف رد کرد. پارامترهای مهم تکنولوژیکی: ظاهر از هدف قبل از تخمگذار و همچنین بالعکس. ارتعاش صحیح اجازه می دهد تا از یک طرف از گرم شدن بیش از حد سرعت رشد پلاسمای انرژی تبخیر شده توسط لیزر جلوگیری شود. اجزای Visoka energіya naplyuyutsya و وجود روغن ترش اتمی و یونیزه در مشعل لیزری به شما امکان می دهد VTNP-fusion را در یک مرحله تولید کنید. در عین حال، دانه های تک کریستالی یا با بافت بالا از جهت سه محوری وجود دارد (خط عمود بر ناحیه پد است). اشکالات اصلی تبخیر لیزری عبارتند از: (الف) مناطق کوچک، که در آن موارد استوکیومتری را می توان در پشت انبار ذخیره کرد. (ب) ناهمگونی سطح و (ج) ناهمواری سطح. علاوه بر ناهمسانگردی قوی VTNP، مقامات حمل و نقل و امنیتی خوب فقط می توانند حمل و نقل را از محور مدیریت کنند. در همان ساعت، شناور از خط دید اصلی (بالا و پایین رفتن در ناحیه بالشتک های ab)، می توانم مقدار زیادی انسجام را در یک خط مستقیم، عمود بر سطح ببینم و سپس برای انتقال در چند دست آخر نگاه کنید.بایگانی توپ "VTNP - فلز معمولی" (یا "دی الکتریک - VTNP"). پلاوکی با تغییر سازمان در تمام مشاغل شما.

پراکندگی مگنترون به شما امکان می دهد قایق های YBCO را در یک مرحله کوتاه کنید، زیرا با استفاده از روش پراکندگی لیزری مقامات نظارتی خود را به خطر نمی اندازید. با بوی بد زیاد، ممکن است محصول یک طرفه بیشتر و سطح صاف تری وجود داشته باشد. Yak و با تبخیر لیزری، روشنایی پلاسما با برش مگنترون اتم های پرانرژی و امکان رد یک مرحله ای شناورهای VTNP در دماهای پایین را فراهم می کند. در اینجا دیدن "هدف - پد" نیز مهم است. با گسترش نزدیک کار به دلیل آستر و عدم چسبندگی وسط، آستر در معرض بمباران شدید با یون های منفی ترش و همچنین برای اصلاح ساختار نرخ رشد و استوکیومتری قرار می گیرد. برای حل این مشکل، تعدادی از رویکردها باید اتخاذ شود، از جمله کاهش مصرف انرژی کم با بمباران مصرف انرژی بالا و رشد در تولید بهینه دمای تخلیه گاز بالا به منظور کاهش فیله‌های نازک YBCO Otrimaniya در محل، مانند بول‌های تهیه‌شده با روش براده‌سازی مگنترون خارج از محور و توان الکتریکی بهینه کم، دمای انتقال روی سیم و بحرانی بودن جریان بحرانی را نیز نشان می‌دهند، ظاهراً: T ج = 92 K i J ج = 7106A/cm 2... نمونه‌های براده‌سازی لیزری پالسی، برای حذف سیم‌ها و سیم‌های YBCO با بافت بالا، اما می‌توان آن‌ها را روی پدهای کوچک مونو و پلی‌کریستالی با مهره‌ها و بدون آن‌ها تولید کرد که به شما امکان می‌دهد به صورت جت نرم س = 2,4106A/cm 2در دمای 77 کلوین و میدان مغناطیسی صفر.

روش‌هایی برای دستیابی به طیف گسترده‌ای از اشکال کوچک برای دستگاه‌های بی‌سیم فناوری مایکروویو وجود دارد، به‌عنوان مثال، تشدیدکننده‌ها در اتصالات منبع تغذیه، تماس‌های تلفنی ثابت و پیوست‌های ثابت زمینی برای صدای زیر ماهواره‌ای.

با روش رسوب شیمیایی از فاز بخار ترکیبات فلز-آلی (رسوب شیمیایی از فاز بخار ترکیبات فلز-آلی) روش دانمارکی به شما امکان می‌دهد پرکننده‌های نازک VTNP را که می‌توان با استفاده از روش‌های فیزیکی بایگانی برای ویژگی‌های آنها از روش‌ها تنظیم کرد، تصحیح کرد. قبل از خاتمه برنامه، موارد زیر باید طبق روش مورد استفاده انجام شود: (الف) امکان اعمال مهره های یک طرفه بر روی جزئیات یک پیکربندی غیر مسطح و یک منطقه بزرگ. (ب) کیفیت بیشتر بارش در حالی که کیفیت بالا را ذخیره می کند. (ب) سادگی فرآیند در مرحله بهبود حالت فن آوری، ایجاد یک تغییر صاف در انبار فاز بخار. بقیه فرآیند اغلب برای تولید ویروسی رقبای HTNP با پارامترهای بحرانی بالا (تعیین شده از مواد تک کریستالی) برای پیکربندی تاشوی رقبا بر روی ویروس‌های محصولات تجاری میکروالکترونیک استفاده می‌شود.

2. بخش تجربی

1.1 تکنیک برای آزمایش

تک کریستال های YBA 2مس 3O 7-د برای این، روبات ها با توجه به تکنولوژی ذوب viroshuyuvali. برای حذف کریستال ها با تغییر جزئی Y به Pr، Y 1-z Pr z با 2مس 3O 7-?، Pr 5O 11در عملکرد اتمی Y: Pr = 20: 1. رژیم های رشد و غنی سازی کریستال های ترش Y 1-z Pr z با 2مس 3O 7-?بول ها برای تک کریستال های غیرقانونی مانند هستند. اجزای بلال Yak برای رشد کریستال vikoristov 2O 3، BaCO 3، CuО і Pr 5O 11، تمام مارک ها خلوص بالا هستند. برای دوزهای مقاومتی، کریستال های نازک با DG های نافذ و همچنین الماس های کوچک با DG تک خطی با اندازه 0.5x0.5 میلی متر انتخاب شدند. 2... این امکان اتصال چنین تک کریستال هایی را با یک DG مستقیم با عرض 0.2 میلی متر و پایه ای با کنتاکت های پتانسیل 0.3 میلی متری را فراهم کرد. Electroopir در ناحیه ab با استفاده از روش استاندارد 4 تماسی با جریان ثابت تا 10 میلی آمپر آزمایش شد. دمای چشم توسط یک ترموکوپل مسی ثابت تعیین شد.

1.2 راه اندازی آزمایشی برای vim_ryuvannya elektrooporu

نمودار نصب برای رسوب دمایی پشتیبانی الکتریکی در شکل نشان داده شده است. 2.2.

کم اهمیت. 2.2 نمودار شماتیک یک راه اندازی آزمایشی با یک کرایوستات جریان عبوری برای تنظیم دمای پشتیبانی الکتریکی در محدوده دمایی 77 - 300 K

این نصب از یک مخزن دوار نیتروژن حمل و نقل 1، یک کرایوستات نیتروژن جریان مینیاتوری 2، یک ساقه ویمیرووال 3، یک پمپ خلاء 2HVR - 5D (6)، یک وکیوم متر 5، یک دریچه برای تنظیم دقیق سیالیت مبرد ذخیره می شود. یک واحد کنترل دمای جهانی 8. در صورت لزوم اجازه می دهد تا vimiruvannya را در میدان های مغناطیسی تا 4 kErst با آهنربای الکترومغناطیسی vikorystannyam 4 انجام دهد.

تکیه گاه بر روی یک استرم 1 میلی آمپر در دو رشته استرم انجام شد. دما با ترموکوپل میکرو ثابت اندازه گیری شد. فشار روی چشمک و روی تکیه گاه چشم توسط نانوولت متر V2-38 اندازه گیری شد. داده های ولت متر از طریق رابط به طور خودکار به کامپیوتر منتقل می شود.

Vimіryuvannya در حالت رانش دما انجام شد. تغییر دما نزدیک به 0.1 K / HV در vimir نزدیک T می شود س ، من نزدیک به 5 K / xv در T> Tc هستم .

1.3 نتایج آزمایش و بحث

رسوب دمای ساپورت الکتریکی حیوان خانگی در ناحیه شکم ?ab (T) کریستال YBaCuO (К1) و Y 1-z Pr z با 2مس 3O 7-?(K2) در قسمت داخلی شکل 2.3 نشان داده شده است. مشاهده می شود که در هر دو رسوب آیش є فلزی، پروتئینی وجود دارد ?ab (300 هزار) / ?ab (0K) کوچک و 40 یا 22 را برای کریستال های K1 و K2، در صورت لزوم تنظیم کنید. همزمان ?ab (0DO) ما درون یابی یک خط به دما (خط چین) را در یک آیش آغاز کرده ایم ?ab (T). منبع تغذیه در ناحیه ab کریستال‌های K1 و K2، در دمای اتاق، تقریباً 155 × 255 میکرو اهم سانتی‌متر و دمای بحرانی - ظاهراً 91.7 در 85.8 K شد. Vikoristovuchi vіdomі دانی ادبی در مورد آیش بودن T س به دلیل غلظت پرازئودیمیم امکان تشکیل گرداب وجود دارد اما تغییر Pr در کریستال K2 تبدیل به z می شود؟ 0.05. عرض اتصالات مقاومتی کریستال K1 کمتر از 0.3 K و کریستال K2 نزدیک به 2.5 K است.

Yak را می توان از قسمت داخلی تا شکل 2.3، در دمای پایین تر از مقدار معمولی T * مشاهده کرد. ?ab (T) به عنوان یک خط آیش، که نشان دهنده ظهور یک مازاد بزرگ است، مانند، همانطور که قبلاً به معنای احشاء بود، با گذار به حالت شبه شکاف (PS) تحت فشار قرار می گیرد. یاک را می توان در شکل 2.3 مشاهده کرد، برای بینش از خانه پرازئودیمیوم منطقه خط آیش ?ab (T) به طور قابل توجهی در شرایط نسبی با یک کریستال غیر ذاتی منبسط می شود و دمای T * به ناحیه دمای پایین بیش از 30 کلوین تغییر می کند.

تجمع دما از رسانایی بزرگ. ??=?-?0، د ?0=?0-1= (A + BT) -1 - رسانایی، زیرا با یک خط برون یابی در دمای صفر شروع می شود و ?=?-1 - مقدار آزمایشی رسانایی در یک آسیاب معمولی. کانسارهای آزمایشی اوتریمانی ??(T) در شکل نشان داده شده است. 2.3. پس از نشان دادن آنالیز، برای دستیابی به محدوده دمایی وسیع، منحنی ها به خوبی با حالت آیش نمایی توصیف می شوند:

کم اهمیت. 2.3 رسوب دمای رسانایی اضافی ??(T) تک بلورهای К1 і К2 - ظاهراً منحنی 1 і 2. درج دمای رسوب تکیه گاه الکتریکی را نشان می دهد ?ab (T) همان zrazk_v. فلش ها دمای انتقال به حالت شبه گپ T * را نشان می دهند. شماره گذاری منحنی ها در درج شماره گذاری روی کوچولو.

?? ~ exp (? * Ab / T)، (2.1)

de ?*ab - قدر، که منشأ فرآیند گرما فعال سازی از طریق شکاف انرژی است - "شبه گپ".

آیش نمایی ??(T) قبلاً در شناگران YBaCuO دریغ نکرده است. تقریب داده های تجربی را می توان با افزودن یک عامل (1-T / T *) گسترش داد. به طور کلی، هدایت بزرگ به نظر می رسد متناسب با بیش از حد بینی n س ~ (1-T / T *) і در تعداد متناسبی از جفت پیچیده شده است ~ exp (-?*/kT)، با زباله های حرارتی منفجر شده است

?? ~ (1-T / T *) exp (? * Ab / T)، (2.2)

در همان T *، دمای میدان متوسط ​​محل اتصال سیم بالا، و فاصله دمایی T مشاهده می شود. س

در شکل 2.4 دمای ضخامت شبه خط را در مختصات اشاره نشان می دهد ?*(T) / ?*حداکثر - T / T * ( ?*حداکثر - ارزش ?* در فلاتی در فاصله T *). دمای ضخامت خط شبه در چارچوب نظریه متقاطع BCS-BEK در زاگالنی ویگلیاد توسط معادل ها توصیف می شود.

de x 0 = ? /?(0) (?- سیستم های پتانسیل شیمیایی؛ ?(0) - مقدار خط انرژی در T = 0) و erf (x) تابع انحرافات است.

در مرز x 0?? (جفت ضعیف) analitic viraz (2.3) تورم در چشم

به خوبی در نظریه BCS دیده می شود. در همان ساعت برای تعاملات قوی در یک vypadіy 3 جهانی (x 0 < -1) формула (2.3) переходит в

کم اهمیت. 2.4 رسوب دمایی شبه ضخامت کریستال های K1، K2 در مختصات اشاره گر ?*(T) / ?*حداکثر - T / T * ( ?*حداکثر - مقدار ?* در فلاتی در فاصله T *). شماره گذاری منحنی ها مشابه شماره گذاری در شکل 1 است. 2.3. خط نقطه 3 نشان دهنده ی آیش است ?*(T) / ?(0) від Т / Т *، برای مقدار پارامتر متقاطع ایمن شده است ? /؟ (0) = -10 (بین BEK)

نتایج نشان می‌دهد که با دوپینگ کم با پرازئودیمیم، در پشت ناحیه دمایی تحقق PS بیشتر، کمتر از دو برابر، از t * = 0.530 تا 0.243، با انبساط طولانی یک ساعته ظاهر می‌شود. f ظاهراً برای کریستال های K1 و K2 = 0.0158 تا 0.0411.

نتایج اصلی شناسایی شده به عنوان روبات:

Zbіlshennya پشتیبانی الکتریکی در خط سپرده dіlyantsі ?ab (T) در مورد جایگزینی جزئی Y به جای Pr، برای نشان دادن اثربخشی ایجاد بینی های طبیعی در خانه های Pr.

استان های بزرگ ??(T) تک بلورهای YBaCuO و Y 1-z Pr z با 2مس 3O 7-?در محدوده دمایی وسیع T f <Т

دوپینگ تک بلورهای YBaCuO با خانه های کوچک پرازئودیمیم z؟ 0.05 برای ایجاد فاصله دمایی تحقق حالت PSH به یک اثر غیر قابل محاسبه. ? (T) در ناحیه اب.

مکمل

جدول 1. VTNP-cuprati

فهرست ویکورستانیخ دژرل

1. Deutschei Cuy. گان ابررسانا و شبه شکاف // FNT، -2006، -v. 32، -شماره 6.-ص 740-745.

A.A. زاوگورودنی، R.V. ووک، M.O. Obolenskiy، O.V. سامویلوف، آی. ال. گولاتیس. تزریق رسانایی فوق‌العاده پرازئودیمیوم تک‌کریستال‌های YBaCuO با یک سیستم میدهای دوگانه تک خطی // "بولتن دانشگاه ملی دونتسک"، سری A "علوم طبیعی". شماره 839. -vіp. 1. - S. 253-256 (2009).

J.G. Bednorz، K.A. Muller، Rev. مد. Phys., -B, 64, -P.189- (1988).

قدرت فیزیکی ناظران دمای بالا پید. ویرایش دی ام گینزبرگ. م:. «سویت»، 1990، 544 ص.

Sadovskiy M.V. UFN 171 539 (2001).

سی. رنر و همکاران. فیزیک کشیش Lett. 80,3606 (1998); S.H. پان و همکاران فیزیک کشیش Lett. 85,1536 (2000).

7-اینترنت:<#"justify">17. س.حیکامی، ع.ی. لارکین. نظریه ابررساناهای ساختار لایه.// مدرن

فیزیک Lett.,. B2, p.p. 693-698 (1988).

علوم فنی

UDC 537.312.62: 620.018.45

روشهای گرفتن آن قدرت سرامیک های HTSC بر اساس پودرهای فوق ریز

O. L. خسانوف

ایمیل دانشگاه پلی تکنیک تومسک: [ایمیل محافظت شده]

نتایج توسعه فناوری برای تهیه سرامیک های بیش از حد رسانا با دمای بالا بر اساس پودرهای فوق پراکنده، از جمله روش های فشرده سازی خشک با تزریق اولتراسوند تحت فشار، شرح داده شده است. فرآیند بهینه برای سنتز پودر HTNP و سرامیک آغاز شد. داده های ارائه شده در مورد بهره برداری از قدرت در تهیه سرامیک های VTNP از صفحه های میدان های الکترومغناطیس، تشدید کننده های مایکروویو در مقیاس بزرگ، SQUID های سرامیکی.

ورود

در میان مواد سرامیکی فعلی، به ویژه وام، سرامیک با دمای بالا (VTNP) است. تجلی سطحی بودن در دمای 30 کلوین به طور تجربی در سال 1986 توسط J. Bednorz و K. Müller در سیستم Cupra-thalanthanum Ba-La-Cu-O، TO آشکار شد. در حاشیه این آستانه، چشم انداز زیادی برای ذخیره سازی عملی VTNP در الکترونیک، فناوری و فناوری دقیق، در انرژی، مهندسی برق، حمل و نقل و سایر زمینه ها وجود داشته است.

برای این منظور، نه تنها در جهت اساسی، بلکه در جنبه کاربردی نیز توسعه یافت. مشکل کلیدی توسعه فناوری‌هایی بود که امکان توسعه چنین مواد سرامیکی گرایشی مانند کوپراتی تاشو، ویروبی‌های ضروری را فراهم می‌آورد: کابل‌ها، سیم‌پیچ‌های القایی، تشدیدگرهای بزرگ و غیره. در مورد ذخیره سازی "جریان کم" (الکترونیک، حسگرها)، برای تولید سازه های مبتنی بر شناورهای VTNP موثر شده است. با این حال، برای zasosuvan "جریان بالا" (انرژی، حمل و نقل، فناوری پشتیبانی و غیره)، همانطور که قبلاً نیز توسعه فناوری هایی برای تهیه VTNP-ma-lov سرامیکی در مقیاس بزرگ با قدرت حمل جریان و پایداری بالا است. مربوط.

نتایج اصلی نهایی‌سازی توسعه روش‌های آماده‌سازی و تکامل مقامات VTNP-سرامیک خانواده YBa2CuzO7_x در بالای آمار قرار دارد. از طریق روبات‌ها، توسعه روش‌هایی برای سنتز پودر فوق‌ریز (UDP) فاز VTNP، فشرده‌سازی و سنتز آن سرامیک‌های ابررسانا تک فاز با ویژگی‌های بحرانی بالا.

فاز جامد و خود تکثیر شونده

سنتز HTNP در دمای بالا

سنتز فاز ارتورومبیک ابررسانا YBa2CuzO7_x (x<0,4 - фаза "1-2-3") - многостадийный процесс последовательных химических и структурных превращений синтезируемых компонентов. Среди многих известных методов синтеза ВТСП-порошков нами разрабатывался метод твердофазного керамического синтеза.

Yak vіdomo، سنتز فاز جامد є توسط فرآیند انتشار. تجزیه و تحلیل سنتز سنتز ذهن ترمودینامیکی نشان داد که در دمای پایین تر، سنتز فاز 1-2-3 کمتر از شروع در 950 درجه سانتیگراد مراحل سنتز است. زمانی که همه معرف ها بررسی می شوند یا یکی از آنها در واحد کنترل است، باید بتوانید به این مورد برسید. نشان داده شده است که در استانی فوق پراکنده می توان ویکوریستووواتی را در مخلوط فوق ریز تمام کرد. در انبار دسته ای 1-2-3 از امکانات ذخیره سازی UDP

دمای سنتز به 920 درجه سانتیگراد کاهش می یابد و بی اهمیت بودن فاز HTNP تا ​​12 سال تغییر می کند، بسته به افزایش تعداد جنین ها برای افزایش فاکتور هندسی - تعداد و مساحت زیادی از تماس ها. با تعداد زیادی از Іntensifіkatsіya kіnetiki fazoobrazovanija obumovlena pіdvischennyam koefіtsієnta difuzії rechovini submіkronnih chastinok mіdі (scho در mayutsya حداکثر استوکیومتری zmіst در shihtі) در kordonі reagentіv برای rakhunok їh poverhnevoї aktivnostі، defektnostі که ساختارهای mobіlnostі termodinamіchnoї متاستاتیک و takozh efektivnosti رخ دانه promіzhnih سنتز فاز OD است bіlsh بزرگ بسیاری از معرفها در مورد ولتاژهای بین کریستالی. در نتیجه، یک UDP مونوفاز VTNP UVa2Ci307-x با اندازه متوسط ​​ذرات 0.4 ... 0.7 میکرون، دمای بحرانی اتصال روی سیم Tc = 95 K و عرض اتصال DTZ = 1 K سنتز می شود.

سنتز فازهای HTNP را می توان نه تنها با واکنش های فاز جامد، بلکه با روش سنتز در دمای بالا (SHS) انجام داد، در صورتی که واکنش سنتز در نتیجه خودگرم شدن گلوله مجموع معرف ها موفقیت آمیز باشد. در جریان انرژی گرمایی

Osvita z'udnannya UVa2Сі307-х با چنین اثر گرمازایی را می توان با توجه به واکنش انجام داد:

1 / 2Y203 + 2Ba02 + 3Ci + PO2 ^ YBa2Ci307.x + O،

de Ba02، 02 - اکسید کننده؛ Сі - فلز از نوع مید اکسید شده نیست.

رکود UDP با واکنش تشدید شده به سنتز و افزایش اثر حرارتی O (به دلیل واکنش خودپایدار در بار) به دلیل مقدار زیادی انرژی ذخیره شده ذرات فوق پراکنده است.

با استفاده از تعریف قانونمندی های سیستم SVS و 1-2-3 از پیروزی های UDP Sі us

انجام یک فرآیند اضافی در فرآیند در حین احتراق و در هر نوبت، امکان تنظیم دمای کوره تا وارد شدن یک عامل اکسید کننده تکمیلی، با مرحله کاهش مخلوط احتراق، با تنظیم پارامترهای هندسی. . در cich pre-sluggish bulo تنظیم شده است که دمای معدن بین 900.970 درجه سانتیگراد باشد، به طوری که دمای سنتز و سنتز فاز VTNP 1-2-3 باشد.

از بار همگن اجزای خارجی در پرس های تک محوری استاتیک خشک، پرس با قطرهای کوچک Br (7، 10، 14 و 18 میلی متر) با فشار 3 میلی متر در پرس پرس R از 50 تا 350 قالب گیری شد. MPa.

Hvilya gornya در پرس به دو روش: گرم کردن سریع تمام فشارها در کوره های دودکشی مخصوص آماده شده تا 800 درجه سانتیگراد فاز HTNP نیاز به بازپخت اضافی در دمای 950 درجه سانتیگراد به مدت 2.8 ساعت دارد.

تجزیه و تحلیل فاز اشعه ایکس، هدایت جرقه های SHS قبل از سقوط، نشان دادن حضور فازهای У4Ва309، ВаСі02، فاز چهار ضلعی 1-2-3، واکنش نشان داده شده Сі0، Сі، У203 و همچنین تعداد فازها و ارتورومبیک ناچیز است Zm_st VTNP-phase Сп تا 40 درصد برای سقوط در 950 درجه سانتیگراد به مدت 2 سال و تا 50.60 درصد برای سقوط در 950 درجه سانتیگراد به مدت 6 سال افزایش یافت.

مقدار اثر Meissner x، که عمدتاً به دلیل تغییر فاز VTNP در الگوها است، قبل از اینکه تغییرات در SHS و الگوهای هندسی در شکل نشان داده شوند، در گیره بار فشاری است. 1.

عملیات = 14 mmu \ P = 18 میلی متر

■■ 1- -1-*-1-

کم اهمیت. 1. مقدار اثر Meissner در پرس های HTNP، سنتز شده با روش SHS و در دمای 950 درجه سانتیگراد به مدت 2 سال (a) و سپس 6 ساعت (b) - در حالت آیش در فشار دادن P.

خشک Presuvannya UDP VTNP pid dyu

سونوگرافی

در تمام مراحل فنی تهیه سرامیک VTNP، لازم است از فراپایداری الماس VTNP-فاز 1-2-3 و حساسیت بالا به نقطه ترشی، وجود بخار اطمینان حاصل شود. در ارتباط با cym، توسعه روش‌هایی برای فشرده‌سازی پودر VTNP سخت، به‌ویژه پراکنده (سنتز شده از UDP mіdі)، بدون راکد کردن نرم‌کننده‌های اضافی مرتبط است. برای آن، ما از روش پرس خشک پودر VTNP برای تزریق اولتراسونیک (UZV) استفاده خواهیم کرد که عمود بر فشار است.

روش‌های تزریق دمای tsikh doslidzhen bulo vivchennya بر روی ظرفیت سرامیک‌های VTNP، آماده‌شده برای فناوری استاندارد، فشرده‌سازی شده با حالت‌های جدید امواج اولتراسونیک.

Zrazki در قرص هایی با قطر 11.2 میلی متر یا با تزریق اولتراسونیک یا در حالت استاتیک تحت فشار قرار گرفتند. شدت امواج اولتراسونیک توسط ولتاژ خروجی ژنراتور اولتراسونیک іUSV 50، 75 و 100 ولت تنظیم شد که دامنه دامنه پرس فرم AUZV = 5، 10 و 15 میکرون را در فرکانس 21.5 کیلوهرتز نشان می داد. . بو کردن در دماهای پایین انجام شد: 890 درجه سانتیگراد (برای نمونه‌های با UDP mіdі) و 950 درجه سانتیگراد (برای نمونه‌های دارای معرف‌های استاندارد) به مدت 48 سال. نتایج آزمایش ها در شکل نشان داده شده است. 2.

برای همه حالت های پرس، قوی ترین سرامیک ها با شارژ UDP Сі ترکیب می شوند (مقادیر 1، 2، 3 در شکل 2، b)، من قدرت پرس غیر یکنواخت را می خواهم، همانطور که برای نوع شارژ، به طوری که برای مقدار P، و برای نمونه‌های UDP، حمام پرس اولتراسونیک در محدوده از پیش گسترش‌یافته، اولتراسونیک، عملاً در ضخامت سرامیک‌ها ریخته نمی‌شود (مقادیر 1، 2، شکل 2، b). بدیهی است که برای یک پودر VTNP بسیار پراکنده سنتز شده از UDP، اندازه زیر میکرون ذرات کمتر از دامنه ماتریس AUZV = 5، 10 و 15 میکرون است و صدا از طریق فشار پودر VTNP درشت عبور می کند، نه یک ذره شرور.

فقط در Р = 907 مگاپاسکال، іUSV = 75 ولت (منحنی 2، شکل 2، a) کاهش در چگالی فشار وجود داشت - در مورد تجمع پودر از امواج اولتراسونیک ارتعاشی تزریق شده با دامنه داده شده. هنگامی که قدرت پالس ها به توان پالس ها از UDF که در 907 مگاپاسکال فشار داده می شود (منحنی 2، شکل 2، b) رسید، این نشان دهنده فعال شدن اثر اولتراسونیک بر روی ذرات پودر فشرده است.

استحکام سرامیک از معرف‌های استاندارد برای فشارهای اولتراسونیک با 50 ولت 50 ولت و در 75 ولت 100 ولت برای شرایط عادی با فشار استاتیک (منحنی 5، شکل 2، ب) پرداخت شد. برای یک بار VTNP درشت در شکل موج اولتراسونیک پیش پیوسته = اثر شبه تشدید 15 2).

علاوه بر دمای پایین آزمایش (890 درجه سانتیگراد برای نمونه‌های با UFP و 950 درجه سانتیگراد برای نمونه‌های معرف‌های استاندارد)، قدرت مخلوط هسته VTNP در این آزمایش‌ها از 5.45 گرم بر سانتی‌متر مکعب - 86 درصد وزن بیشتر نبود. جمع پس از بهینه سازی حالت های پرس خشک و خشک کردن UDF VTNP، ظرفیت سرامیک به 6 گرم بر سانتی متر مکعب رسید (جدول 1).

بر روی ویژگی های الکتروفیزیکی ویروس های HTNP سرامیکی، مقدار دانه های فاز و بافت ابررسانا ناهمسانگرد نشان داده شده است. در مورد عملیات حرارتی فوق‌العاده در مرحله سوم کاهش HTNP، ناهمسانگردی رشد دانه به وضوح در طول روز معکوس می‌شود. با این حال، تغییر شکل صاف می‌شود، در مورد دانه‌های ناهمسانگرد فشرده خشک تک محوری فاز 1-2-3 مشابه پروسکایت صاف می‌شود، که برخی از دیدها را مستقیم می‌کند، و سیستم از حالت همسانگرد خارج می‌شود. عمود بر سمت راست دانه، دانه رشد می کند تا بافت را به دست آورد. حتی در فرآیند حمام فشرده خشک تک محوری VTNP-فشردن ویتریماتی برای یک ساعت بی اهمیت (10 ... 20 سال) با یک معاون

کم اهمیت. 2. چگالی فشرده pp (a) і HTNP-سرامیک متخلخل рс (b) در مقدار تجمع شدت امواج مافوق صوت و فشار فشار UDП ВТНП: 1) 746 MPa; 2) 907 مگاپاسکال؛ 3) 1069 مگاپاسکال؛ مخلوطی از معرفهای استاندارد: 4) 746 مگاپاسکال. 5) 907 مگاپاسکال

tsії)، سپس در فرآیند تبلور مجدد tsei به طور مستقیم برای رشد دانه ها دیده می شود. دانه های ناهمسانگرد فاز پروسکایت مانند 1-2-3، در برخی از مناطق بیش از حد رسانای CuO2 عمود بر زاویه سمت راست ناحیه فشار، در جهت درست ناحیه اطراف ناحیه (منطقه اطراف سطح) رشد خواهند کرد. از منطقه) و تا 10 میکرون. در نتیجه رشد بیش از حد جریان های انتشاری گفتار، رشد دانه ها با کاهش نشان داده می شود. روند بافت سرامیک VTNP در چنین رتبه ای توسعه یافته است. در شکل شکل 3 ریزساختار سرامیک های بافت دار 1-2-3، تف جوشی در معانی را نشان می دهد (داده های میکروسکوپ الکترونیکی روبشی روی میکروآنالایزرهای فیلیپس SEM-15 برای کمک V.N. Lisets شناسایی شده است).

مطالعات قبلی ما نشان داده است که بافت بافت زمانی روشن می شود که سرامیک 1-2-3 از UDP VTNP سنتز شده با سطح بهینه حفاظت با گرفتن یک پرس خشک تک محوری 300 مگاپاسکال، بی اهمیت بودن ویتریم پرس در چنین دمای تنظیم شده 975 به مدت 10 سال ... با.

قدرت الکتروفیزیکی سرامیک های VTNP

و ویروس های متلاشی شده

آزمایش توان فیزیکی سیم‌کشی و inhh دستگاه‌های سرامیک VTNP و شکستن ویروس‌ها (VTNP-SQUID، صفحه‌های میدان‌های الکترومغناطیس، تشدیدکننده‌های رایج؛ ATs؛ روش توسط ما انجام شد. پایه کالیبراسیون jc، و همچنین در اختیار داشتن ویژه در آزمایشگاه فیزیک نوترون OIAD (m Dubna). در آزمایشگاه رادیوتکنیک مایکروویو MІREA (مسکو)؛ در NDI YaP در TPU، پیوست های NDI napivprovidnikovyh، موسسه فیزیک و فناوری سیبری در TSU، KB "پروژه" (تامسک). جدول. 1، شکل 4

نتایج در قالب پارامترهای سرامیک HTNP تهیه شده با توجه به توضیحات فناوری ارائه شده است.

مدل های تشدید کننده های مایکروویو در مقیاس بزرگ و صفحات VTNP میدان های الکترومغناطیسی از سرامیک های 1-2-3 نزدیک استوانه های خالی با قطر 50 میلی متر، ارتفاع 40 میلی متر با دیواره 4 میلی متر با دیسک های بزرگ 50 میلی متر در سوراخ های 4 میلی متری فن آوری از ذخیره سازی UDP Сі. سرامیک HTNP ضخامت کوچک 5.5 گرم بر سانتی متر مکعب، دمای بحرانی Tc = 88 K.)، تشخیص سطح دیسک در سینک های آرام -0.04 اهم (این در آزمایشگاه 46 NDI YF در TPU G.M. Samoilenko انجام شد).

جدول 1. قدرت الکتروفیزیکی هوش VTNP-ke-Ramik

پارامتر Pc "g / cm3 d، * μm Tc، K ATC، Kj ** A / cm2 Qi Q2

سرامیک 1-2-3 بر اساس UDP Cu 5.9 ... 6.0 10.20 95 3.5 920 150 250 150 241

سرامیک 1-2-3 3 معرف استاندارد 5.2 ... 5.5 40.50 90 1.5 90

اندازه دانه متوسط ​​با توجه به میکروسکوپ نوری و روبشی الکترونیکی.

**] s - بحرانی استروما، اندازه گیری شده با روش 4 پروب (77 K، 0 T)؛

nd - ضریب کیفیت پروب های سرامیکی آسیاب شده در فرکانس / = 3 گیگاهرتز (2A / = 20 مگاهرتز) در دمای اتاق (به تعداد) و در 77 K (در استاندارد)، ویمیریان در آزمایشگاه مهندسی رادیو مایکروویو MIREA O.M. اولینیک;

O2 - خوبی از تصاویر آرام، ویمیرین در ذهن آرام از طریق ریک، بنابراین برای اطلاع از تخریب سرامیک.

کم اهمیت. 3. تصویر CEM از سرامیک‌های بافت‌دار VTNP 1-2-3، متخلخل از UDP برای لانه‌سازی رو به جلو در پیش‌سووانی و نمودار نواری آنالیز فاز اشعه ایکس (juice-viprominuvannya)

کم اهمیت. 4. منحنی های انتقال سیم بالا برای VTNP-core-miky، تهیه شده از حالت UDF Cu: 1، 2) فشار استاتیکی خشک، ظاهراً در 920 و 950 درجه سانتیگراد ثبت شده است (همانطور که توسط V.Tc_ انجام شده در نشان داده شده است. FLNP Oush)؛ 3) پیش فرض اولتراسونیک، ضبط در دمای 950 درجه سانتیگراد (زمانی که T در MIPREA MIREA توسط A.A.Bush انجام شد)

Viprobvannya از همان مدارهای استوانه ای در کیفیت صفحه نمایش در میدان های الکترومغناطیسی بول در NDI PP (Yu.V. Lilenko) و در SFTI در TSU (A.P. Ryabtsev) انجام شد.

کم اهمیت. 5. قدرت غربالگری VTNP-سیلندر

کم اهمیت. 6. هیسترزیس VPH در آسیاب بیش از حد سیم (T = 77K) سیلندر VTNP

روش تغییر فشار در اندوکتانس پایینی (خارجی)، فشار منفی سیلندر VTNP، هنگام عبور رشته آزمایشی I از طریق ژنراتور (داخلی) گربه، همه چیز را در بر گرفت. Ps = / (I) رسوب شده در قفس بالای صفحه نمایش (7 = 77 K) و در قفس معمولی (در دمای 293 K) -pis شناخته شد. 5. ضریب غربالگری 7 = 77 K

در فرکانس 10 کیلوهرتز با مقدار £> 100. پسماند مشخصه میدان ولتاژ (VPC) صفحه نمایش VTNP در 77 K بر واحد ثابت در 300 K (شکل 6) همچنین می تواند دیامغناطیس را نشان دهد. قدرت یک پیش جوان = 1 ویروبیوم، 3 میلی آمپر؛ / = 10 کیلوهرتز).

حساسیت سنسور تداخل کوانتومی overwire (SQUID) با پارامتر در زیر مشخص می شود:

h = 2 ■ 1 -ft

در اینجا L ~ 10-9.10-10 H اندوکتانس کانتور کوانتیزه در SQUID های سرامیکی است که سوراخی با قطر 0.5-1.0 میلی متر است. 1C - پایه بحرانی از طریق اتصال جوزف-نوفسکی (DP)؛ Ф0 = 2.07-10-15 ولت - کوانتومی شار مغناطیسی. برای VTNP-SQUID ها، مقدار واقعی 1.2 = است. مقدار I مسئول 1.10 میلی آمپر است. برای سرامیک های HTNP، مقدار استرومای بحرانی X = 1 / $ = 10 ... 103 A / cm2 = 0.1.10 μA / μm2 در دمای کار 78 K است (^ ناحیه سرریز VTNP- است. سرامیک). Zvidsy vipliva

0.1.100 میکرومتر مربع، به طوری که اندازه مشخصه DP 0.3.10 میکرومتر است. Qia umova و مقدار متوسط ​​اندازه دانه سرامیک VTNP را تنظیم کنید. روش‌های تشکیل DP در سرامیک‌های VTNP از دانه‌هایی با اندازه‌های قابل توجه هنگام تهیه VTNP-SQUID سرامیکی از نوع Zimmerman، ما از روش‌های سنتز فاز جامد و پرس خشک که در غذا توضیح داده شده است استفاده کردیم. DP در قرص‌های HTNP با دو دهانه در فرآیند قالب‌گیری و پیوند با سرامیک‌های HTNP بافت‌دار به ضخامت 5.7.6.0 گرم بر سانتی‌متر مکعب با اندازه‌های دانه در ناحیه بافت 10.20 میکرون قالب‌گیری می‌شود. با استفاده از اسکرایرهای مکانیکی تحت کنترل با میکروسکوپ نوری و با پیشبرد انقباض حرارتی در جریان، ضخامت مورد نیاز ~ 10 میکرون بدست آمد. حساسیت SQUID ها به میدان مغناطیسی نهایی به مقدار 1.2 μV / Fo رسید.

در چنین رتبه ای، با توجه به نتایج ربات ها، otrimanі visnovka:

1. در سینک های طبیعی SHS، دسته ای از مواد خام در 1-2-3 ذخیره می شود، به طوری که پرس نباید تا زمانی که فاز HTNP تایید شود، برای سنتز هر آنیل اضافی مورد نیاز در دمای 950 درجه ذخیره می شود. سی.

2. Іnіtsіyuvannya SHS در قدرت تکانه های الکتریکی از سطح پرس هندسه های از قبل موجود، برای ترویج استفاده از فقط برای شارژ از UDP Сі. مصرف محیط های پراکنده درشت در طیف وسیعی از شرایط، اثر حرارتی لازم واکنش را نادیده نخواهد گرفت.

3. برای بازرسی فاز HTNP با روش SHS، معرف هایی با نام تجاری بهتر از "chda" (اول برای همه چیز، اکسید کننده Ba02) مورد نیاز نیست.

4. در یک محدوده پیشرفته از ابعاد هندسی، ضریب فرم برای SHS VTNP є ضریب فرم Нр / Вр = 3 / \ 4، فشار فشار > 150 مگاپاسکال بهینه است. با چرخه سینک، چگالی سرامیک ها به جای فاز VTNP - 54٪، T = 86 K، AT = 5 K، به 4.6 گرم در سانتی متر مکعب رسید.

5. پرس خشک قبل از اولتراسوند برای بار HTNP پراکنده درشت در دامنه ماتریس AUZV = 10 و 15 میکرون موثر است، در صورتی که یک اثر شبه تشدید دامنه دامنه کلنی در اندازه آگلومراها وجود داشته باشد. .

6. بافت Osvita هنگامی که سرامیک spikannі 1-2-3 از سنتز УДП ВТНП با رتبه بهینه از همتایان در معاون پرس خشک تک محوری 300 مگاپاسکال، بی اهمیت بودن ویتریم پرس در چنین

در آغاز سال 10 و دمای اتاق 950 ... 975 درجه سانتیگراد است.

7. فن آوری سنتز فاز جامد UDP VTNP و فشرده سازی خشک برای تهیه مخلوط هسته VTNP بافت دار با کیفیت بالا با پارامترهای بحرانی بالا و تهیه VTNP-virobiv از آن موثر است: صفحه نمایشگرهای الکترومغناطیس.

ربات در بخش تجزیه و تحلیل ذهن از پیشروی اولتراسونیک Pedtriman RFPD، گرنت 01-03-32360.

فهرست ادبیات

1. Tretyakov Y.D., Goodilin E.A. اصل شیمی رد ناظران اکسید فلز // موفقیت در شیمی. - 2000. - T. 69. - شماره 1. - S. 3-40.

2. Didenko A.N., Pokholkov Yu.P., Khasanov O.L. که در. رکود پودرهای فوق پراکنده در طول سنتز سرامیک های ابررسانا U-Ba-Si-O // فیزیکوشیمی و فناوری مواد ابررسانا با دمای بالا. - M .: Nauka، 1989 .-- S. 133-134.

3. Pokholkov Yu.P., Khasanov O.L. سنتز و توسعه قدرت سرامیک های VTNP بافت دار با چگالی بالا بر اساس پودرهای فوق پراکنده // در مجموعه: ابررسانایی با دمای بالا. - تامسک: Naukova از RNTP RRFSR "VTNP" خوشحال است. - 1990 .-- S. 28-34.

4. پت. 1829811 RF. MKI H01L 39/14. روش تهیه پودر پراکنده ویسکو تک فازی ابررسانا با دمای بالا UBa2Ci3O7-x / O.L. خاسانوف، G.F. ایوانف، یو.پی. پوخولکوف، G.G. ساولیف. از تاریخ 94/03/23

5. Pokholkov Yu.P., Khasanov O.L., Sokolov V.M. که در. ویژگی های فناوری فوق پراکنده برای تهیه سرامیک های با دمای بالا // Elektrotekhnika. - 1996. - شماره 11. - S. 21-25.

6. Merzhanov A.G.، Peresada A.G.، Nersisyan M.D. که در. // صفحات در JETF. - 1988. - T. 8. - Vip. 11. - S. 604-605.

7. Khasanov O.L., Sokolov V.M., Pokholkov Yu.P. که در. فشرده سازی اولتراسونیک پودر بسیار پراکنده UBa2Ci3O7-x // مواد ناظر در دمای بالا: چکیده ها. اضافه کردن. II بین المللی conf. - خارکف: موسسه تک بلورهای آکادمی ملی علوم اوکراین، 1995. - ص 149.

8. Khasanov O.L., Sokolov V.M., Dvilis E.S. که در. فناوری اولتراسونیک برای تهیه نانوسرامیک های طراحی و کاربردی // مواد پرسپکتیو. - 2002. - شماره 1. - S. 76-83.

9. Pokholkov Yu.P., Khasanov O.L., Roitman M.S. که در. توسعه فن آوری برای تهیه VTNP-SQUID های سرامیکی و یک مغناطیس سنج پایه بر اساس این // تبدیل در پیوست: چکیده ها. اضافه کردن. علم و تکنولوژی. سمینار. - تامسک: TPU، 1994 .-- S. 32.

UDC 621.039.33: 541.183.12

توسعه یون های IZOTOPIV با توان نزدیک در فرآیندهای ارتباطی با جریان های شیمیایی الکتریکی فازها

A.P. Vergun، I.A. تیخومیروف، L.I. دوروفشوا

ایمیل دانشگاه پلی تکنیک تومسک: [ایمیل محافظت شده]

نتایج داده های نظری و تجربی برای تبادل ایزوتوپ ها و یون ها ارائه شده است. اصلاح جریان فازها در سیستم های ارتباطی با جایگزینی الکترومیگراسیون اشکال ایزوتوپی و یونی در فرآیند الکترودیالیز انجام می شود.

انجام یک مبادله نظری و ایزوتوپی جامع به طور مستقیم با معرفی فرآیندهای جدید و تجربی و روش های موثر ایزوتوپی برای پایه و اساس توسعه یافته برای مهمترین علم و توسعه عملی فناوری های جدید گل رز مرتبط است. صنعت اتمی Doslidzhennya در منطقه

پدیده درجه حرارت بالا overprovidnost (VTNP) چندی پیش tsіkavilo فقط vchenykh. با این حال، در بازار منبع تغذیه، محصولات تجاری مبتنی بر VTNP، از جمله روسی، وجود دارد. VTNP می تواند سوراخی در فناوری انتقال انرژی الکتریکی ایجاد کند.

Zovsim VTNP سرخ نمی کند

در اوایل قرن بیستم، یک پوسته باز وجود داشت که تعدادی فلز و آلیاژ قدرت را تامین می کردند، به طوری که ساختمان مادر در دمای نزدیک به صفر مطلق (نزدیک به 270- درجه سانتی گراد) یک تکیه گاه صفر است. ). برای مدت طولانی، نگهبانان می توانند فقط در دمای هلیوم داغ پیروز شوند، که به آنها اجازه می دهد یک دارایی سالم را راه اندازی کنند. و تشدید مغناطیسیتوموگرافی

در سال 1986، ابررسانایی در دمای نزدیک به 30 درجه کلوین بدست آمد که جایزه نوبل را دریافت کرد و در سال 1990 rr. در فاصله ای برای رسیدن به رسانایی بیش از حد در 138K، علاوه بر این، vikoristovuvalis به احساس رسانای بیش از حد پرتاب نشدند، بلکه اسپولوک اکسید شدند.
مواد سرامیکی که در دمای نیتروژن مایع (77K) یک تکیه گاه صفر هستند، ابررساناهای دمای بالا (HTNP) نامیده می شدند. با این حال، اگر کلوین برای ما به درجه بالاتری از سانتیگراد ترجمه شود، آنگاه نور است، اما دمای بالا نیست، مثلاً درجه منهای 169-200 درجه سانتیگراد.

Umi prelіdnikіv rozburkhu ایده به دانستن مواد، zdatnі پاس در بیش از حدآسیاب در دمای اتاق (293K). از لحاظ نظری، چنین احتمالی درست است. برای داده های deyakim، overprovidnі قدرت nіbito vіdlіvati به nіbіkuvati nіvіt navіkh دانه grapіtu pі برای obrobka ویژه. در روز جاری، ناظران «دمای اتاق» (KTSP) یکی از ساختمان‌های معتبر کلیدی در سالن‌های فناوری نانو را تکان دادند. با این حال، این نه تنها عملی است که راکد است، بلکه آزمایشی تر است که KTSP از غذای فردا کنار گذاشته شود. Syogodnishnya elektroenergetika بر vikoristannya VTNP مسلط خواهد شد.

نصب بر اساس رسانایی بیش از حد در دمای بالا در فرآیند خنک سازی با نیتروژن آهنی. به عنوان یک متخصص، یک عامل تبرید نسبتاً ارزان و مفید است که از دمای 77K جلوگیری می کند و امکان اجرای پروژه های عملی را فراهم می کند.

سوزانندگی

رفتار بیش از حد می تواند در همان حوزه های زندگی پیروز (و حتی پیروز) باشد. در بالا، حفره در دهانه آهنرباها در میدان های مرتفع گیر کرده بود. برای کمک نگهبان، می توان شناور مغناطیسی را ایمن کرد، که اجازه می دهد سفرهای پرسرعت به آرامی، بدون صدا و ساییدگی فرو بریزند. موتورهای الکتریکی VTNP برای دادگاه ها در حال ایجاد است و وعده هاو همچنین با پارامترهای وزن و اندازه کمی کوچکتر با چقرمگی برابر. نظارت بر تسیکاوا از دیدگاه میکروالکترونیک و فناوری کامپیوتر. ابررساناهای دمای پایین در دستگاه‌های تشخیص پزشکی (توموگرافی) و در چنین پروژه‌های عجیب و غریب «مگا علم» مانند برخورد دهنده بزرگ هادرون و راکتور همجوشی بین‌المللی گیر کرده‌اند.

با نظارت بر دمای بالا، امیدها برای معضل انرژی جهانی از یک طرف گره خورده است در صورت لزومسرعت ویکیدی در دی اکسید کربن را به شدت افزایش دهید، که به شما کمک می کند صبح خوبی داشته باشید. همچنین، در روز، لطفاً با VTNP تماس بگیرید تا اموال بیشتری برای تولید و انتقال برق در اختیار شما قرار دهد. در اصلسطح جدید از نقطه نظر کارایی.

یکی از واضح ترین ناظران zasosuvan مربوط به انتقال برق است. کابل‌های VTNP می‌توانند فشار قابل توجهی را با حداقل اضافه‌کردن انتقال دهند، به طوری که ظرفیت خروجی ساختمان به همان ترتیب کابل‌های سنتی کمتر باشد. هنگامی که استروما از مجرا عبور می کند، گرما وجود ندارد و عملاً دیدن آن در طول روز غیرممکن است، به طوری که مشکل سر نرده های روزت دیده می شود.

ژنراتور برای سیم پیچ s overprovidnyhموادی که از میدان‌های مغناطیسی با شکوه مراقبت می‌کنند، بسیار سفت‌تر می‌شوند. به عنوان مثال، شرکت زیمنس با صرف سه ژنراتور HTNP، تا 4 مگاوات تولید خواهد کرد. دستگاه نسبت به مولد فوق العاده همان کرنش دو برابر سبکتر و کوچکتر است. همچنین ژنراتور VTNP از نظر بار در هنگام تغییر ولتاژ راندمان بالایی و از نظر فشار راکتیو زنده دارای مشخصات بالاتری است.

امروزه در جهان توسعه فعال ژنراتورهای آزمایشگاهی بر اساس حفاظت بیش از حد در دمای بالا وجود دارد. وقتی ویکورستان VTNP سیم پیچ ها در واقع ساقه ای از ژنراتورهای VTNP با ظرفیت 10 مگاوات است که برای توان اضافی 2-4 برابر کمتر خواهد بود.

این حوزه برای عرضه گسترده ای از مقامات عالی رتبه امیدوارکننده است - انباشت انرژی، که نقش آن از نظر توسعه سیستم های انرژی مدرن نیز بسیار عالی است، به طوری که انرژی dzherela را دوباره جوان می کند. برای ساخت تجهیزات الکتریکی، مانند ترانسفورماتور، ویژگی های جدید کارخانه VTNP را اضافه کنید.

نظارت اجازه می‌دهد چنین پیوست‌های غیرخصوصی به بند یک ضربه کوتاه اضافه شوند، من به‌طور خودکار در هنگام گیر کردن آن، آن را کنار می‌زنم. من به طور خودکار vklyuchayutsya با آگاهی از اتصال کوتاه.

خط یک نسل دیگر

چه نوع ایده‌هایی با ظاهر غنی برای تمرین به دوردست رفته‌اند، و با چه نوع زوسیلا؟ در وهله اول لازم به ذکر است که در روز جاری، ناظرهای درجه حرارت بالا نسل اول و دیگر (VTNP-1 و VTNP-2) در بازار ارائه می شوند. برای انتشار عمومی در روز تولید امسال، VTNP-1 را بازی کنید، اما برای کارشناسان واضح است که برای ابررساناهایک نسل دیگر با هم گره خورده است، در طراحی ابررساناهای با دمای بالا HTSC-2، ماتریس 70 درصد می شود، از محیط تهیه می شود.

یکی از شرکت های کلیدی روسی که روی موضوع سرپرستان نسل دیگر کار می کند، ZAT "SuperOx" است. یک وون در دیوارهای وزارت آموزش و علوم لومونوسوف متولد شد، گروه de nauk دانشکده شیمی برای کار بر روی فناوری محاصره لایه های نازک overprovidniks. در سال 2006، بر اساس دانش انباشته شده از استارتاپ ها، یک پروژه تجاری برای ایجاد شبکه نسل سوم VTNP نسل سوم.

در سال 2011، حوزه منافع "SuperOx" برای توسعه همکاری تنگاتنگ با شرکت خبری SuperOx Japan LLC گسترش یافت. قرقره با یک خط انعطاف پذیر نصب شده است که به سیم VTNP اجازه می دهد تا با یک پایه بحرانی تا عرض 500 A / cm بچرخد. از سال 2011، شرکت "SuperOx-Innovations" نیز ساکن "Skolkovo" است، که به گذشته اعمال شده است، تمرکز بر بهینه سازی ویژگی های فنی خطوط VTNP نسل دیگر، توسعه توسعه فناوری است. در سال 2013، خط virobnitstvo VTNP-2 در تکنوپارک مسکو "Slava" راه اندازی شد.

"محصول ما بالاتر از خط نسل دیگر، لایه ای از فولاد ضد زنگ ویژه مقاوم در برابر دماهای بالا است که در هنگام استفاده از مهره های نازک، تداخلی با مقامات مکانیکی آن ایجاد نمی کند." - گلوله های اکسید بافر با استفاده از روش های خاصی روی آستر اعمال می شود و میله گادولینیوم کوپرات داخل توپ عملکردی ریخته می شود. از ساختار استفاده می کنیم تا با توپ های نازک مدیوم یا مدیوم پوشانده شود و به این صورت ویکوریست باشد. در نگهبانانساختمان های جانبی

در چنین موادی، با تولید تنها یک یا دو میکرون، ساختمان رسانای جریان نزدیک به 500 آمپر در سرریز 1 میلی متر مربع است که صدها برابر کمتر از کابل متوسط ​​است. ظاهراً چنین خطی برای ذخیره‌سازی ایده‌آل است و نیاز به یک استرم بالا ندارد. کابل های روی استرومی بزرگ، آهنرباها در میدان های بزرگ منطقه اصلی ذخیره سازی هستند.

"SuperOx" Volodya توسط چرخه مکرر خطوط vyrobnitstva VTNP-2. در سال 2012، پس از شروع فروش این محصول نوآورانه، مواد به یکباره نه تنها به روسیه، بلکه من صادر می کنمدر 9 کشور از جمله اتحادیه اروپا، ژاپن، تایوان و نیوزلند.
وادیم آملیچف توضیح می دهد: "نور در خطوط VTNP-2 چندان غنی نیست." - دو شرکت آمریکایی، شرکت هایی در کشورهای کره و ژاپن. به عنوان مثال، در اروپا، در مقیاس صنعتی، چنین خطی ویروسی نیست. خط ما در مراکز باگاتیون پیش از اسلیدنیتسا آزمایش شد و رقابت پذیری آن تایید شد ویژگی های її ".

یک صنعت جدید را ترویج دهید

«از کسانی که اخیراً بر دمای بالا نظارت دارند و به شدت درگیر فناوری بوده‌اند تعجب نکنید. از نظر فن آوری rozvinenih krainsky svitu، - rozpovidan Viktor زره، دکترای علوم فنی، عضو ارشد AEN RF، مدیر توسعه AT "ناظر روسی" و تکنولوژیکیتوسعه اقتصاد پروژه نوآوری روسیه "صنعت ابررسانا" به عنوان بخشی از پروژه "انرژی نوآوری" برای اولویت مستقیم "بازده انرژی".

پروژه دانمارکی در زمینه صنعت overpower توسط شرکت "ناظر روسیه" که توسط شرکت دولتی "روساتوم" آغاز شده است، هماهنگ می شود. به مدت پنج سال از سال 2011 تا 2015، آنها قصد دارند فناوری های رقابتی پیشرفته ای را برای هادی های سربار با دمای بالا نسل دیگر نصب کنند، تا همین اواخر، بر اساس هادی های سیم دو مرحله ای (تا 1000 متر) برای منبع تغذیه VTNP-2. ، و همچنین نمونه اولیه ژنراتور Tse iتلاش زیاد، و استرومای بهم پیوسته (SOT)، و تجمع جنبشی انرژی (KNE)، و همچنین جریان اجباری برای سیستم های مغناطیسی، انباشت القایی انرژی (SPIN)، ترانسفورماتورها، توان الکتریکی.

در سال 2016، قرار است یک سری سیم های سخت افزاری VTNP-2 و تعدادی ضمیمه بر اساس آنها راه اندازی شود. نزدیک به 30 سازمان در ربات ها برای یک پروژه شرکت می کنند، از جمله VNZ، مراکز علمی دانشگاهی و galuzev، دفاتر طراحی و سازمان های صنعتی، zokrema VAT "VNІINM"، "VAT" NІІNEFІ "، VAT" VAT "NIFKHI"، WAT TVEL، WAT "Tochmash" بنابراین او را در NDC "Institute Kurchatov"، ENIN قرار می دهم. من هستم. کرژیژانوفسکی، FGBOU MAI، NIIYAU MIFI، GUAP، VAT "Rosseti"، VAT "STC FGC YES"، ZAT "SuperOx"، VAT "VNIIKP"، VAT "NIIEM"، OKB "Yakir" و در.

ویکتور آرمور توضیح می‌دهد: «از لحاظ ساختاری، این پروژه بر اساس 9 ساختمان است که به صورت موازی دیده می‌شوند. - Z 2011 تا 2013 rr. در فاصله، اولین مدل های قدرتمند ماشین های فوق را باز کنید - یک موتور و یک ژنراتور با ظرفیت 50 کیلو وات، انباشت جنبشی انرژی 0.5 مگا ژول، یک اتصال برق فوق الذکر بین دستگاه های انرژی کوتاه مصرف 3.5 برابر برای مصرف 3.5 جریان جریان برای سیستم های مغناطیسی، گذر 1500 آمپر استرم.

همین امر در مورد اصول اولیه فناوری افزایش تولید سیم های سیمی VTNP-2، تعمیر آنها از مواد اولیه و پایان دادن به روش های کنترل محصول نهایی صدق می کند. قلدر راه حل های تکنولوژیکی اصلی را می دانست، بنابراین آنها اجازه دادند تا به سمت ایجاد نمونه های اولیه پیوست های انرژی در مقیاس بزرگ حرکت کنند. بنابراین در ساعت دانمارک، ربات با کشیدن 200 کیلووات روی ساقه موتور به پایان می رسد.

سیم پیچ Zavdyaki zasosuvannyu VTNP-2 مانند dvigun هنگام نصب یوگو روی ماشین برقی(Elektrobus) اجازه می دهد 15-20٪ از نمونه ها در صورت شارژ باتری های آکومولاتور شارژ شوند. در آماده‌سازی و آماده‌سازی ویپروبوان در توری حمل‌ونقل در فضای باز از روی سیم، کوبش رکودهای کوتاه تنش 7 MVA است. تکمیل آماده سازی مولد فشار 1 MVA که برای ذخیره سازی در نیروگاه های داخلی امیدوار کننده است.
بر اساس فناوری های منحصر به فرد Rosatom، انباشت جنبشی انرژی در حال توسعه است از ناظرانبا فلایویل محرک که بیش از 7 مگا ژول است. لغزش به معنای توسعه یک انباشت انرژی القایی است که در یک ساعت کوتاه مرزی از انرژی انباشته به دهک MJ ساخته می شود. در مرحله نهایی، روبات هایی در امتداد یک ترانسفورماتور ابررسانا با ظرفیت بیش از 1000 کیلو ولت آمپر وجود دارد.

"علاوه بر این، نتایج این پروژه پایان آزمایشی خواهد بود که به سختی به دست آمده است و تکنولوژیکیاساس، و همچنین تشکیل مجموعه هایی از دانشکده های بسیار واجد شرایط در حوزه فن آوری های بیش از حد ارائه شده، - pidsumovu Viktor armor. - پول زیادی در موسسه NDC Kurchatovsky برای به دست آوردن یک خط پیچیده virobnicho-slidnitska از حذف VTNP-2 overprovidniks قابل توجه با روش فرسایش لیزری. این خط به ابزاری برای توسعه علم و فناوری مواد VTNP تبدیل خواهد شد. Tse اجازه می دهد توسعه فشرده از یک منطقه با تکنولوژی بالا امیدوار کننده، فراهم می کند قبل از تجاری سازیتکنولوژی های overprovidnik ".

کابل ها

غیرممکن است که در مورد پروژه روسی روی ارسی کابل overwire تا طول 200 متر به ما نگویید. مالیات بر ارزش افزوده "انرژیموسسه من هستم. G.M. کرژیژانوفسکی "(ENIN) مالیات بر ارزش افزوده "تمام روسیهمؤسسه علمی پیشین صنعت کابل "(VNIIKP)، موسسه هوانوردی مسکو و مالیات بر ارزش افزوده" STC Electroenergetics ". توسعه در سال 2005 از سر گرفته شد، در سال 2009 بازدید قبلی آغاز شد که با موفقیت آزمایش را در یک چند ضلعی منحصر به فرد ایجاد شده با موفقیت پشت سر گذاشت.

سیم‌کشی اصلی VTNP به کابل، ویسوکای استروما navantazhennya، vtrati کوچک، خلوص اکولوژیکی و پوزه‌ژنا بزپکا است. علاوه بر این، هنگام انتقال فشار زیاد بر روی چنین کابلی در بار 10-20 کیلوولت، هیچ ایستگاه صنعتی مورد نیاز نیست.

کابل VTNP یک طرح باگاتوشاروف تاشو است. عنصر بی‌اهمیت مرکزی vikonaniya در viglyadі spіralі از فولاد ضد زنگ، سرد شده با بسته‌ای از سیم‌های فولادی متوسط ​​و ضد زنگ، پیچیده شده با رشته‌های متوسط. در بالای عنصر مرکزی دو لایه از خطوط سیمی وجود دارد و در بالا - عایق ولتاژ بالا. سپس روکش صفحه بالای سر بود، پس از رشته های میانی زننده که در دوخت فولاد ضد زنگ پیچیده شده بودند. پوست به طول 200 متر به داخل یک کروستات مودار و زننده کشیده شد.

توسعه طراحی پیچیده با این واقعیت تسریع می شود که VTNP به لبه حساس است.بخش اصلی عملیات تکنولوژیکی بر اساس VNIIKP انجام شد. با این حال، برای تهیه عایق ولتاژ بالا، کابل به کارخانه کابل کامسکی در پرم فرستاده شد.

"برای VTNP، ما از کابل برای انجام عملیات روکش کاغذ استفاده کردیم - الکساندر آزان، حامی سرپرست فناوری در Kamsky Kabel LLC. - بولو دارای مالکیت منحصر به فردی است، زیرا قبلاً برای تولید کابل های روغنی ارتقا یافته در چشمه مرتفع پیروز بود. منابع برای تحویل محصول نهایی از مسکو به پرم و برگشت استفاده نشد. و، من فکر می کنم، این امکان وجود دارد که چنین کابل های ویژه ای به روشی منحصر به فرد نصب شوند، در کارخانه های کوچک نصب شوند، اما در یک عملیات واحد سازماندهی نشوند.

در نزدیکترین ساعت، سازماندهی کابل سریال به کابل داده می شود در هر کارخانه ما maloimovirna است، بنابراین به عنوان نصب خطوط با ابررساناهادر منطقه، به ندرت و حتی توسط دختران کوچک (بیش از 1 کیلومتر) انجام می شود. دلیل اصلی این امر کیفیت کابل های VTNP و ارائه دهندگان خدمات است (لازم است به طور مداوم نیتروژن از طریق کابل پمپ شود).

کابل های پست استرام

در روز جاری توسعه در منطقه از شاخه کابل VTNP، سه وجود دارد. WAT "FGC YES" و WAT "STC FGC YES" شعبه ای از NDDKR "خط کابل بیش از حد با دمای بالا یک پست استرم برای فنر 20 کیلوولت با پایه 2500 A تا 2500 متر" را هدایت می کنند. اولین نمونه اولیه یک سیستم انتقال قدرت نوآورانه - دو برش یک کابل VTNP دوقطبی، هر کدام 30 متر، شکسته شده در FGC UES STC و به آسانی در کارخانه Irkutskkabel در دسترس است - با موفقیت از خط لوله عبور کرد. و ولتاژ بالا viprobuvannya در سال 2013

در پاییز 2014، یک ویال به مجموعه ای از تجهیزات نوسازی برای انتقال نوآورانه برق به 50 مگاوات اضافه شد. از vikorystannyamروی کابل سیم تا چند صد متر. کابل Zasosuvannya VTNP برای منبع تغذیه مکان های عالی برای ایجاد تمایل به تغییر مساحت زمین از budivnistvaخطوط برق و مصرف برق کم.

در STC FGC UNES واضح است که خط کابل پست استرم بر اساس VTNP دارای تعدادی انتقال به مناسبت خط استرم تغییر است. این نه تنها به شما این امکان را می دهد که فشار را با حداقل تلفات منتقل کنید، بلکه برای اتصال استرومای یک سردرگمی کوتاه، تنظیم فشار راکتیو، کنترل جریان های فشار و جلوگیری از معکوس کردن آن.

"به طور قابل قبول یاد بگیرید که تولید کنندگان روسی کابل های VTNP در خط مقدم کار می کنند - حتی ویتالی ویسوتسکی، دکترای علوم فنی، آکادمیسین آکادمی علوم روسیه، مدیر علوم مستقیما - رئیس. به انتقال سیم ها و کابل های سقفی VNIIKP. - به عنوان مثال، کابل 200 متر buv بزرگترین در اروپا در سال 2009-2013 بود و فقط در سال 2014 در نیمچچین کابل تا 1 کیلومتر نصب شد. رکورد Ale і tsei با کابل viprobvannym 2.5 کیلومتر برای سنت پترزبورگ عبور خواهد کرد.

دیدگاهی از آخرین هنر - به سرمایه گذاری های خصوصی

کارشناسان پیش بینی برای رسیدن به توسعه فعال از نور و روسیه بازار از امتیازات. بنابراین، آندری واویلوف، رئیس رادی مدیران ZAT "SuperOx" به این معنی است که قیمت علامت تجاری VTNP در سال 2017 به 1 میلیارد دلار خواهد رسید، در حالی که کل بخش فدراسیون روسیه در بازار تجارت می تواند حدود 10 درصد برآورد شود.

به عقیده ویتالسکی، "صفحه تامین بیش از حد برای تولید برق گواترها در حال توسعه است، سطح بهره وری منبع تغذیه به طور مداوم در حال رشد است و بدون تامین بیش از حد، موضوع افزایش انرژی نیست." - با این حال، صنعت انرژی از نظر استفاده از آن قبل از هر چیز جدید، محافظه کارتر است و عزیزسر آن را بگذارید - پس از همه، معرفی پروژه های جدید با کمک سازمان های دولتی. این گواهی بر قابلیت اطمینان و کارایی پیوست های ارائه شده در بالا است. ظهور پروژه های جدید در ویکلیچ باعث نوشیدن VTNP vyrobnitstvo strichok، افزایش vipusku و کاهش قیمت می شود، اما دوباره به شما در توسعه بازار کمک خواهم کرد.

"در danіy stadії vsіh rіshennya مجتمع مطرح nemozhlive zavdan بدون vsebіchnoї امداد قدرت، آل بازدید کنندگان سنگ پوستی pіdvischuєtsya іnvestitsіyna privablivіst VTNP tehnіki scho در dozvolyaє از ویسوکو chastkoyu vpevnenostі ochіkuvati priplivu іnvestitsіy خصوصی در її rozvitok دور komertsіyne" - pogodzhuєtsya از دانشکده های ویکتور pantsirnі.
کارشناسان خوشحال هستند، اما به طور کلی در وضعیت برابر - دلیل اهمیت فناوری های بیش از حد استانی است.
«توسعه صنعت فوق از اهمیت ملی بالایی برخوردار است و بخش انباری مهم پاساژ است در інnovatsіynyبه سمت توسعه اقتصاد کشور برود. قیمت اخیراً در سایت توسعه یافته مشاوره بیان شده است. به خاطر رئیس کمیته دومای دولتی انرژی مجلس فدرال فدراسیون روسیه، د، زوکرم، نشان داده شده است که به منظور تامین امنیت استقلال اقتصادی و سیاسی از سطح پایین استراتژیک روسیه و دمای بالاغلبه بر مواد، غلبه بر ضمیمه ها و ویروس ها بر اساس آنها "، - گاهی اوقات ویکتور زره.

برنامه های Maybutnє

ما از کارشناسان خواستیم که حوزه تامین بیش از حد را در نگاه خود، امیدوارکننده ترین و شاید ممکن برای یافتن یک آزمایش تجاری فناوری در بهترین سنگ ارزیابی کنند.

وی ادامه داد: در پرتو روز، در روسیه، جدیدترین پروژه‌های کابل‌های overwire انجام خواهد شد. بوی بد گناه است، و شما را تشویق به توسعه، - Vitaliy Visotskiy. - کابل های ابررسانا بر اساس VTNP در حال حاضر یک محصول کاملا تجاری هستند، اما باید گران باشد. شراب ارزان تر می شود، اگر عریض تر به نظر برسد و تعداد خطوط VTNP مورد نیاز باشد، بنابراین ارزان تر خواهد شد. їх virobnitstvo.

با این حال، در نگاه من، ضروری ترین و درخواست کردبرای مهندسی برق - سیم کشی بیش از حد مدار KZ را در سطح فنرها از 100 کیلو ولت به شبکه برق متصل می کند. دلبستگی‌های زیاده‌روی چنین طبقه‌ای به سادگی روحیه‌ای ندارند، و بدون پیش‌بینی بیش از حد، راهی برای انجام آن وجود ندارد. چنین پروژه هایی قبلاً در سرزمین ما مورد بحث قرار گرفته است. علاوه بر این، در ذهن من، چشم انداز ساخت ماشین های VTNP برای ژنراتورهای آزمایشگاهی را دارم. بوی تعفن ارزش (در زمان‌ها) کاهش واگی یک ژنراتور و افزایش فشار را دارد.

"محرک فصلی برای توسعه بازار ویروس های بیش از حد استانی - مهندسی برق (کابل های برق و استرومای اتصال دهنده) - آندری واویلوف. - Ale і در ردیف بزرگترین galuzei є پتانسیل قابل توجهی است. به عنوان مثال، توسعه فعلی گزینه‌های ذخیره‌سازی HTNP و جایگزینی مؤثر ناظران دمای پایین در فناوری پیش گرمایش، پیروز برای علم، ویروس‌سازی ایزوتوپ‌ها در پزشکی. روسیه با برخورددهنده جدید NICA در دوبنا، یک طرح عالی در منطقه tsiy، zokrem دارد.

به دلیل ویژگی های کشش منحصر به فرد، وزن کم و وزن، می توان پتانسیل زیادی در تولید ماشین های بسته بندی کارآمد یافت. چنین حرکتی در اولین چرگا برای ایمن سازی ویرانه های کشتی های بزرگ درخواست شد و ژنراتور می تواند vikoristovuvatya باشد. در جدیدانرژی.

دیدگاه‌های کاملاً جدید از ظهور امروزی شناور مغناطیسی. قیمت نه تنها برای سیستم های حمل و نقل، بلکه برای فناوری بدون تماس دستکاری کننده ها و همچنین یاتاقان های اضافی با طیف گسترده ای از ذخیره سازی است.

"با توجه به توسعه بیش از حد دمای بالا در خم ها، اثر چند برابری تنها نیست در مهندسی قدرت، ale و در galuzy دیگر، مانند کیهانی، هوانوردی، دریایی، خودرو і zalіznichnyحمل و نقل، مهندسی مکانیک، متالورژی، الکترونیک، پزشکی، فناوری پرستاری. فناوری بیش از حد ارائه شده نیز مهم است و برای بهبود ساخت دفاعی زمین، "- زره ویکتور.

در یک کلام، توسعه فناوری‌ها بر اساس بیش از حد، حتی در یک ساعت در دسترس برای مردم چشم‌انداز با شکوه قابل مشاهده است.

ناظر هدایت روسیه به جلو

پدیده درجه حرارت بالا overprovidnost (VTNP) چندی پیش tsіkavilo فقط vchenykh. با این حال، در بازار منبع تغذیه، محصولات تجاری مبتنی بر VTNP، از جمله روسی، وجود دارد.

در اوایل قرن بیستم، یک پوسته باز وجود داشت که تعدادی فلز و آلیاژ قدرت را تامین می کردند، به طوری که ساختمان مادر در دمای نزدیک به صفر مطلق (نزدیک به 270- درجه سانتی گراد) یک تکیه گاه صفر است. ). برای مدت طولانی، نگهبانان می توانند فقط در دمای هلیوم مایع پیروز شوند، که اجازه می دهد تسریع در اختیار داشتن توموگرافی رزونانس مغناطیسی ایجاد شود.

در سال 1986، ابررسانایی در دمای نزدیک به 30 درجه کلوین بدست آمد که جایزه نوبل را دریافت کرد و در سال 1990 rr. در فاصله ای برای رسیدن به رسانایی بیش از حد در 138K، علاوه بر این، vikoristovuvalis به احساس رسانای بیش از حد پرتاب نشدند، بلکه اسپولوک اکسید شدند.

مواد سرامیکی که در دمای نیتروژن مایع (77K) یک تکیه گاه صفر هستند، ابررساناهای دمای بالا (HTNP) نامیده می شدند. با این حال، اگر کلوین برای ما به درجه بالاتری از سانتیگراد ترجمه شود، آنگاه نور است، اما دمای بالا نیست، مثلاً درجه منهای 169-200 درجه سانتیگراد.
با توجه به روزهای اولیه ایده رو به رشد شناخت مصالح، ساختمان به کمپ استانی در دمای اتاق (293K) می رود. از لحاظ نظری، چنین احتمالی درست است. برای داده های deyakim، overprovidnі قدرت nіbito vіdlіvati به nіbіkuvati nіvіt navіkh دانه grapіtu pі برای obrobka ویژه. در روز جاری، ناظران «دمای اتاق» (KTSP) یکی از ساختمان‌های معتبر کلیدی در سالن‌های فناوری نانو را تکان دادند. با این حال، این نه تنها عملی است که راکد است، بلکه آزمایشی تر است که KTSP از غذای فردا کنار گذاشته شود. Syogodnishnya elektroenergetika بر vikoristannya VTNP مسلط خواهد شد.

نصب بر اساس رسانایی بیش از حد در دمای بالا در فرآیند خنک سازی با نیتروژن آهنی. به عنوان یک متخصص، یک عامل تبرید نسبتاً ارزان و مفید است که از دمای 77K جلوگیری می کند و امکان اجرای پروژه های عملی را فراهم می کند.

سوزانندگی

رفتار بیش از حد می تواند در همان حوزه های زندگی پیروز (و حتی پیروز) باشد. در بالا، حفره در دهانه آهنرباها در میدان های مرتفع گیر کرده بود. برای کمک نگهبان، می توان شناور مغناطیسی را ایمن کرد، که اجازه می دهد سفرهای پرسرعت به آرامی، بدون صدا و ساییدگی فرو بریزند. موتورهای الکتریکی VTNP برای داوران و صنعت ساخته می شوند که در صورت کرنش مساوی با پارامترهای وزن و اندازه کمتر قابل انجام است. نظارت بر تسیکاوا از دیدگاه میکروالکترونیک و فناوری کامپیوتر. ابررساناهای دمای پایین در دستگاه‌های تشخیص پزشکی (توموگرافی) و در چنین پروژه‌های عجیب و غریب «مگا علم» مانند برخورد دهنده بزرگ هادرون و راکتور همجوشی بین‌المللی گیر کرده‌اند.

دمای بسیار بالا امید را برای همه معضلات انرژی جهانی، از یک سو، با رشد پایدار انرژی در آینده و در اوایل زمستان گره زد. همچنین بر اساس موضوع از VTNP بخواهید تجهیزات لازم را برای تولید و انتقال برق به سطحی کاملاً جدید از نظر کارایی فراهم کند.

یکی از واضح ترین ناظران zasosuvan مربوط به انتقال برق است. کابل‌های VTNP می‌توانند فشار قابل توجهی را با حداقل اضافه‌کردن انتقال دهند، به طوری که ظرفیت خروجی ساختمان به همان ترتیب کابل‌های سنتی کمتر باشد. هنگامی که استروما از مجرا عبور می کند، گرما وجود ندارد و عملاً دیدن آن در طول روز غیرممکن است، به طوری که مشکل سر نرده های روزت دیده می شود.

ژنراتور سیم پیچ ها را از مواد روی سیم تنظیم می کند، که از میدان های مغناطیسی باشکوه مراقبت می کند، بسیار سفت تر می شود. به عنوان مثال، شرکت زیمنس با صرف سه ژنراتور HTNP، تا 4 مگاوات تولید خواهد کرد. دستگاه نسبت به مولد فوق العاده همان کرنش دو برابر سبکتر و کوچکتر است. همچنین ژنراتور VTNP از نظر بار در هنگام تغییر ولتاژ راندمان بالایی و از نظر فشار راکتیو زنده دارای مشخصات بالاتری است.

امروزه در جهان توسعه فعال ژنراتورهای آزمایشگاهی بر اساس حفاظت بیش از حد در دمای بالا وجود دارد. هنگامی که سیم پیچ های VTNP پیروز می شوند، ژنراتورهای VTNP در واقع با کشش 10 مگاوات شروع می شوند که 2-4 برابر کمتر از آخرین خواهد بود.

این حوزه برای عرضه گسترده ای از مقامات عالی رتبه امیدوارکننده است - انباشت انرژی، که نقش آن از نظر توسعه سیستم های انرژی مدرن نیز بسیار عالی است، به طوری که انرژی dzherela را دوباره جوان می کند. برای ساخت تجهیزات الکتریکی، مانند ترانسفورماتور، ویژگی های جدید کارخانه VTNP را اضافه کنید.

نظارت اجازه می‌دهد تا پیوست‌های غیرمجاز مانند قفل کردن پایه‌های یک گیرکردن کوتاه، به‌طور خودکار هنگام گیرکردن پایه، کناره‌گیری شوند و در صورت اتصال کوتاه به‌طور خودکار روشن شوند.

خط یک نسل دیگر

چه نوع ایده‌هایی با ظاهر غنی برای تمرین به دوردست رفته‌اند، و با چه نوع زوسیلا؟ در وهله اول لازم به ذکر است که در روز جاری، ناظرهای درجه حرارت بالا نسل اول و دیگر (VTNP-1 و VTNP-2) در بازار ارائه می شوند. برای انتشار عمومی در روز تولید امسال، آنها VTNP-1 را بازی خواهند کرد، اما برای کارشناسان واضح است که آنها ممکن است برای ابررساناهای نسل دیگر بازی کنند. با هم گره خورده است، در طراحی ابررساناهای با دمای بالا HTSC-2، ماتریس 70 درصد می شود، از محیط تهیه می شود.

یکی از شرکت های کلیدی روسی که روی موضوع سرپرستان نسل دیگر کار می کند، ZAT "SuperOx" است. یک وون در دیوارهای وزارت آموزش و علوم لومونوسوف متولد شد، گروه de nauk دانشکده شیمی برای کار بر روی فناوری محاصره لایه های نازک overprovidniks. در سال 2006، بر اساس دانش انباشته شده از استارتاپ ها، یک پروژه تجاری برای ایجاد شبکه نسل سوم VTNP نسل سوم.

در سال 2011، حوزه منافع "SuperOx" برای توسعه همکاری تنگاتنگ با شرکت خبری SuperOx Japan LLC گسترش یافت. قرقره با یک خط انعطاف پذیر نصب شده است که به سیم VTNP اجازه می دهد تا با یک پایه بحرانی تا عرض 500 A / cm بچرخد. از سال 2011، شرکت "SuperOx-Innovations" نیز ساکن "Skolkovo" است، که به گذشته اعمال شده است، تمرکز بر بهینه سازی ویژگی های فنی خطوط VTNP نسل دیگر، توسعه توسعه فناوری است. در سال 2013، خط virobnitstvo VTNP-2 در تکنوپارک مسکو "Slava" راه اندازی شد.

"محصول ما، در خط نسل دیگر، لایه ای از فولاد ضد زنگ ویژه، مقاوم در برابر دماهای بالا است، که با استفاده از دستمال مرطوب نازک، با مقامات مکانیکی آن تداخلی ایجاد نمی کند. - گلوله های اکسید بافر با استفاده از روش های خاصی روی آستر اعمال می شود و میله گادولینیوم کوپرات داخل توپ عملکردی ریخته می شود. بنابراین سازه با گلوله های نازک متوسط ​​پوشانده شده است یا به این ترتیب در ضمیمه های بالای استان ها دیده می شود.
در چنین موادی، با تولید تنها یک یا دو میکرون، ساختمان رسانا نزدیک به 500 A در هر 1 میلی متر مربع بیش از حد شبکیه است، که صدها برابر کمتر از کابل متوسط ​​است. ظاهراً چنین خطی برای ذخیره‌سازی ایده‌آل است و نیاز به یک استرم بالا ندارد. کابل‌ها روی استرومی بزرگ، آهن‌رباها در میدان‌های بزرگ - منطقه اصلی ذخیره‌سازی.»

"SuperOx" Volodya توسط چرخه مکرر خطوط vyrobnitstva VTNP-2. در سال 2012، پس از شروع فروش این محصول نوآورانه، و در یک زمان، مواد نه تنها به روسیه عرضه شد، بلکه به 9 کشور از جمله اتحادیه اروپا، ژاپن، تایوان و نیوزلند صادر شد.

وادیم آملیچف توضیح می دهد: "نور در خطوط VTNP-2 چندان غنی نیست." - دو شرکت آمریکایی، شرکت هایی در کشورهای کره و ژاپن. به عنوان مثال، در اروپا، در مقیاس صنعتی، چنین خطی ویروسی نیست. خط ما در مراکز پیش از اسلاوی آزمایش شد و رقابت پذیری ویژگی ها تأیید شد.

یک صنعت جدید را ترویج دهید

«از کسانی که اخیراً نظارت بر درجه حرارت بالا دارند، که اخیراً در کشورهای فناورانه پیشرفته جهان خسته شده‌اند، متعجب نشوید» ناظر روسیه، - در کشور ما، در چارچوب قوانین حزب کمونیست تحت روسای جمهور فدراسیون روسیه برای نوسازی و توسعه فناوری اقتصاد فدراسیون روسیه، پروژه "صنعت ابررسانا" به عنوان بخشی از پروژه "نوآوری" برای انرژی

پروژه دانمارکی در زمینه صنعت overpower توسط شرکت "ناظر روسیه" که توسط شرکت دولتی "روساتوم" آغاز شده است، هماهنگ می شود. به مدت پنج سال از سال 2011 تا 2015، آنها قصد دارند فناوری های رقابتی پیشرفته ای را برای هادی های سربار با دمای بالا نسل دیگر نصب کنند، تا همین اواخر، بر اساس هادی های سیم دو مرحله ای (تا 1000 متر) برای منبع تغذیه VTNP-2. ، و همچنین نمونه اولیه مولدهای تقاضای زیاد، استرومای متصل کننده (SOT) و تجمع جنبشی انرژی (KNE)، و همچنین سیم های جریان خارجی برای سیستم های مغناطیسی، انباشت القایی انرژی زیاد (SPIN)، ترانسفورماتورها.

در سال 2016، قرار است یک سری سیم های سخت افزاری VTNP-2 و تعدادی ضمیمه بر اساس آنها راه اندازی شود. نزدیک به 30 سازمان از جمله VNZ، مراکز علمی دانشگاهی و galuzev، دفاتر طراحی و سازمان های صنعتی، zokrema VAT "VNІINM"، "VAT" NІІNEFІ "، VAT "NIFKHI"، WAT TVEL، WAT "Tochmash" در ربات های این پروژه شرکت می کنند. بنابراین او را در NDC "موسسه کورچاتوفسکی"، ENIN im. Krzhizhanovskogo، FGBOU MAI، NIIYAU MIFI، GUAP، VAT "Rosseti"، VAT "STC FGC YES"، ZAT "SuperOx"، VAT "VNIIKP"، VAT "NIIEM"، OKB "Yakir" و غیره.

ویکتور آرمور توضیح می‌دهد: «از لحاظ ساختاری، این پروژه بر اساس 9 ساختمان است که به صورت موازی دیده می‌شوند. - Z 2011 تا 2013 rr. در فاصله، اولین مدل های قدرتمند ماشین های فوق را باز کنید - یک موتور و یک ژنراتور با ظرفیت 50 کیلو وات، انباشت جنبشی انرژی 0.5 مگا ژول، یک اتصال برق فوق الذکر بین دستگاه های انرژی کوتاه مصرف 3.5 برابر برای مصرف 3.5 جریان جریان برای سیستم های مغناطیسی، گذر 1500 آمپر استرم.

همین امر در مورد اصول اولیه فناوری افزایش تولید سیم های سیمی VTNP-2، تعمیر آنها از مواد اولیه و پایان دادن به روش های کنترل محصول نهایی صدق می کند. قلدر راه حل های تکنولوژیکی اصلی را می دانست، بنابراین آنها اجازه دادند تا به سمت ایجاد نمونه های اولیه پیوست های انرژی در مقیاس بزرگ حرکت کنند. بنابراین در ساعت دانمارک، ربات با کشیدن 200 کیلووات روی ساقه موتور به پایان می رسد.

هنگام نصب بر روی یک وسیله نقلیه الکتریکی (اتوبوس برقی)، مدیران سیستم سیم پیچ VTNP-2 اجازه می دهند در صورت شارژ باتری های باتری، 15-20٪ از میزان سفرها افزایش یابد. در آماده‌سازی و آماده‌سازی ویپروبوان در توری حمل‌ونقل در فضای باز از روی سیم، کوبش رکودهای کوتاه تنش 7 MVA است. تکمیل آماده سازی مولد فشار 1 MVA که برای ذخیره سازی در نیروگاه های داخلی امیدوار کننده است.

بر اساس فناوری های منحصر به فرد Rosatom، انباشت جنبشی انرژی از درایوهای بالای چرخ فلایویل در حال توسعه است که کمتر از 7 مگا ژول است. لغزش به معنای توسعه یک انباشت انرژی القایی است که در یک ساعت کوتاه مرزی از انرژی انباشته به دهک MJ ساخته می شود. در مرحله نهایی، روبات هایی در امتداد یک ترانسفورماتور ابررسانا با ظرفیت بیش از 1000 کیلو ولت آمپر وجود دارد.

ویکتور آرمور می‌گوید: «علاوه بر این، مهم‌ترین نتایج این پروژه ایجاد یک پایگاه آزمایشی و فناوری پرتلاش و همچنین تشکیل تیم‌هایی از دانشکده‌های باکیفیت در حوزه فناوری‌های بیش از حد ارائه شده خواهد بود. - پول زیادی در موسسه NDC Kurchatovsky برای به دست آوردن یک خط پیچیده virobnicho-slidnitska از حذف VTNP-2 overprovidniks قابل توجه با روش فرسایش لیزری. این خط به ابزاری برای توسعه علم و فناوری مواد VTNP تبدیل خواهد شد. اجازه دادن به توسعه فشرده یک منطقه با فناوری پیشرفته امیدوار کننده، که منجر به تجاری سازی فناوری های بیش از حد استانی می شود.

ارائه مکانیسم شناور بر اساس دارت VTNP: آندری واویلف اصل ماژول رباتیک را از مسکو S. Sobyanin تا Technopark "Slava" توضیح خواهد داد.

کابل ها

غیرممکن است که در مورد پروژه روسیه در مورد ساقه کابل بالای 200 متر به ما نگویید. G.M. کرژیژانوفسکی "(ENIN)، مالیات بر ارزش افزوده" موسسه علوم و پیشین تمام روسیه برای صنعت کابل "(VNIIKP)، موسسه هواپیمایی مسکو و مالیات بر ارزش افزوده" STC مهندسی برق ". توسعه در سال 2005 از سر گرفته شد، در سال 2009 بازدید قبلی آغاز شد که با موفقیت آزمایش را در یک چند ضلعی منحصر به فرد ایجاد شده با موفقیت پشت سر گذاشت.

سیم‌کشی اصلی VTNP به کابل، ویسوکای استروما navantazhennya، vtrati کوچک، خلوص اکولوژیکی و پوزه‌ژنا بزپکا است. علاوه بر این، هنگام انتقال فشار زیاد بر روی چنین کابلی در بار 10-20 کیلوولت، هیچ ایستگاه صنعتی مورد نیاز نیست.

کابل VTNP یک طرح باگاتوشاروف تاشو است. عنصر بی‌اهمیت مرکزی vikonaniya در viglyadі spіralі از فولاد ضد زنگ، سرد شده با بسته‌ای از سیم‌های فولادی متوسط ​​و ضد زنگ، پیچیده شده با رشته‌های متوسط. در بالای عنصر مرکزی دو لایه از خطوط سیمی وجود دارد و در بالا - عایق ولتاژ بالا. سپس روکش صفحه بالای سر بود، پس از رشته های میانی زننده که در دوخت فولاد ضد زنگ پیچیده شده بودند. پوست به طول 200 متر به داخل یک کروستات مودار و زننده کشیده شد.

توسعه طراحی مجتمع ساختار یافته پیچیده با این واقعیت تسریع می شود که VTNP به لبه ناوبری و شر مکانیکی حساس است. بخش اصلی عملیات تکنولوژیکی بر اساس VNIIKP VAT انجام شد. با این حال، برای تهیه عایق ولتاژ بالا، کابل به کارخانه کابل کامسکی در پرم فرستاده شد.

"برای VTNP، ما از کابل برای انجام عملیات روکش کاغذ استفاده کردیم - الکساندر آزان، حامی سرپرست فناوری در Kamsky Kabel LLC. - بولو دارای مالکیت منحصر به فردی است، زیرا قبلاً برای تولید کابل های روغنی ارتقا یافته در چشمه مرتفع پیروز بود. منابع برای تحویل محصول نهایی از مسکو به پرم و برگشت استفاده نشد. و، من فکر می کنم، این امکان وجود دارد که چنین کابل های ویژه ای به روشی منحصر به فرد نصب شوند، در کارخانه های کوچک نصب شوند، اما در یک عملیات واحد سازماندهی نشوند.
در نزدیکترین ساعت، سازماندهی کابل سریالی که در هر کارخانه دیگری به کابل داده می شود، به صورت maloimovirna است، به طوری که نصب خطوط با ابررساناها در لبه یا حتی توسط خطوط کوچک (بیش از 1 کیلومتر) انجام می شود. . دلیل اصلی این امر کیفیت کابل های VTNP و ارائه دهندگان خدمات است (لازم است به طور مداوم نیتروژن از طریق کابل پمپ شود).

کابل های پست استرام

در روز جاری توسعه در منطقه از شاخه کابل VTNP، سه وجود دارد. WAT "FGC YES" و WAT "STC FGC YES" شعبه ای از NDDKR "خط کابل بیش از حد با دمای بالا یک پست استرم برای فنر 20 کیلوولت با پایه 2500 A تا 2500 متر" را هدایت می کنند. اولین نمونه اولیه سیستم انتقال قدرت نوآورانه Maybut - دو آداپتور کابل VTNP دوقطبی، هر کدام 30 متر، تقسیم شده در STC FGC ENES و به راحتی در کارخانه Irkutskvoltnya در دسترس است - با موفقیت گذر کرد.

در پاییز 2014، یک ویال به مجموعه ای از تجهیزات طراحی مجدد برای انتقال نوآورانه نیروی الکتریکی اضافه شد، 50 مگاوات از سیم روی کابل سیم، تا چند صد متر مورد نیاز بود. رکود کابل VTNP برای تامین برق مکان های عالی برای ایجاد تمایل به تغییر مساحت زمین، تغییر از روند فعلی و کاهش مصرف برق.
در STC FGC UNES واضح است که خط کابل پست استرم بر اساس VTNP دارای تعدادی انتقال به مناسبت خط استرم تغییر است. این نه تنها به شما این امکان را می دهد که فشار را با حداقل تلفات منتقل کنید، بلکه برای اتصال استرومای یک سردرگمی کوتاه، تنظیم فشار راکتیو، کنترل جریان های فشار و جلوگیری از معکوس کردن آن.

"به طور قابل قبول یاد بگیرید که تولید کنندگان روسی کابل های VTNP در خط مقدم کار می کنند - حتی ویتالی ویسوتسکی، دکترای علوم فنی، آکادمیسین آکادمی علوم روسیه، مدیر علوم مستقیما - رئیس. به انتقال سیم ها و کابل های سقفی VNIIKP. - به عنوان مثال، کابل 200 متر buv بزرگترین در اروپا در سال 2009-2013 بود و فقط در سال 2014 در نیمچچین کابل تا 1 کیلومتر نصب شد. رکورد Ale і tsei با کابل viprobvannym 2.5 کیلومتر برای سنت پترزبورگ عبور خواهد کرد.

دیدگاهی از آخرین هنر - به سرمایه گذاری های خصوصی

کارشناسان پیش بینی برای رسیدن به توسعه فعال از نور و روسیه بازار از امتیازات. بنابراین، آندری واویلوف، رئیس رادی مدیران ZAT "SuperOx" به این معنی است که قیمت علامت تجاری VTNP در سال 2017 به 1 میلیارد دلار خواهد رسید، در حالی که کل بخش فدراسیون روسیه در بازار تجارت می تواند حدود 10 درصد برآورد شود.

به عقیده ویتالسکی، "صفحه تامین بیش از حد برای تولید برق گواترها در حال توسعه است، سطح بهره وری منبع تغذیه به طور مداوم در حال رشد است و بدون تامین بیش از حد، موضوع افزایش انرژی نیست." - با این حال، صنعت انرژی از نظر استفاده از آن برای هر چیز جدید، بسیار گران تر، محافظه کارتر است. سر آن را بگذارید - پس از همه، معرفی پروژه های جدید با کمک سازمان های دولتی. این گواهی بر قابلیت اطمینان و کارایی پیوست های ارائه شده در بالا است. ظهور پروژه های جدید در ویکلیچ باعث نوشیدن VTNP vyrobnitstvo strichok، افزایش vipusku و کاهش قیمت می شود، اما دوباره به شما در توسعه بازار کمک خواهم کرد.

"در مرحله معین توسعه پیچیده همه ساختمان ها، بدون کمک عمومی دولت جای تاسف دارد، اما در پوست سنگی باید در سرمایه گذاری فناوری VTNP سرمایه گذاری کرد تا امکان افزایش آن وجود داشته باشد. خصوصی سازی

آب و هوا با چرخ زره ویکتور.

کارشناسان خوشحال هستند، اما به طور کلی در وضعیت برابر - دلیل اهمیت فناوری های بیش از حد استانی است.

«توسعه صنعت فرا استانی از اهمیت ملی و انبار مهمی در گذار به شیوه نوآورانه توسعه اقتصاد کشور است. تسه Bulo اخیرا konstatovano در rozshirenomu zasіdannі Konsultativnoї برای زمانی که golovі صنعت برق Komіtetu دولت از dumi مجلس RF فدرال، د، zokrema، vіdznacheno Bulo، scho در برای zabezpechennya ekonomіchnoї که polіtichnoї Nezalezhnosti Russie strategіchno neobhіdno مادر vіtchiznyane virobnitstvo nizko- من visokotemperaturnih nadprovіdnih materіalіv، nadprovіdnih pristroїv i virobіv بر اساس їх "،

زره PovidomlyaViktor.

برنامه های Maybutnє

ما از کارشناسان خواستیم که حوزه تامین بیش از حد را در نگاه خود، امیدوارکننده ترین و شاید ممکن برای یافتن یک آزمایش تجاری فناوری در بهترین سنگ ارزیابی کنند.

وی ادامه داد: در پرتو روز، در روسیه، جدیدترین پروژه‌های کابل‌های overwire انجام خواهد شد. بوی بد گناه است، و شما را تشویق به توسعه، - Vitaliy Visotskiy. - کابل های ابررسانا بر اساس VTNP در حال حاضر یک محصول کاملا تجاری هستند، اما باید گران باشد. اگر عریض‌تر به نظر برسد و برای ارزان‌تر کردن آن‌ها به تعداد رشته‌های VTNP نیاز باشد، شراب ارزان‌تر می‌شود.
با این حال، در نگاه من، ضروری ترین و مورد نیاز برای صنعت برق، مدار اتصال بی سیم KZ در چشمه های خط از 100 کیلو ولت به شبکه است. دلبستگی‌های زیاده‌روی چنین طبقه‌ای به سادگی روحیه‌ای ندارند، و بدون پیش‌بینی بیش از حد، راهی برای انجام آن وجود ندارد. چنین پروژه هایی قبلاً در سرزمین ما مورد بحث قرار گرفته است. علاوه بر این، در ذهن من، چشم انداز ساخت ماشین های VTNP برای ژنراتورهای آزمایشگاهی را دارم. بوی تعفن ارزش (در زمان‌ها) کاهش واگی یک ژنراتور و افزایش فشار را دارد.

"محرک فصلی برای توسعه بازار ویروس های بیش از حد استانی - مهندسی برق (کابل های برق و استرومای اتصال دهنده) - آندری واویلوف. - Ale і در ردیف بزرگترین galuzei є پتانسیل قابل توجهی است. به عنوان مثال، توسعه فعلی گزینه‌های ذخیره‌سازی HTNP و جایگزینی مؤثر ناظران دمای پایین در فناوری پیش گرمایش، پیروز برای علم، ویروس‌سازی ایزوتوپ‌ها در پزشکی. روسیه با برخورددهنده جدید NICA در دوبنا، یک طرح عالی در منطقه tsiy، zokrem دارد.
به دلیل ویژگی های کشش منحصر به فرد، وزن کم و وزن، می توان پتانسیل زیادی در تولید ماشین های بسته بندی کارآمد یافت. چنین موتورهایی در وهله اول برای محافظت از خرابه های کشتی های بزرگ درخواست می شوند و ژنراتور می تواند در منابع جدید انرژی پیروز باشد.
دیدگاه‌های کاملاً جدید از ظهور امروزی شناور مغناطیسی. قیمت نه تنها برای سیستم های حمل و نقل، بلکه برای فناوری بدون تماس دستکاری کننده ها و همچنین یاتاقان های اضافی با طیف گسترده ای از ذخیره سازی است.

"افزایش توسعه سرعت بیش از حد در دمای بالا به شکل خمیدگی، اثر چند برابری نه تنها در صنعت برق الکتریکی، بلکه در همان سنگفرش مانند فضا، هوانوردی، حمل و نقل دریایی، پزشکی خودرو، خدمات فنی است. فن‌آوری‌های نظارتی نیز مهم هستند و برای بهبود ساخت و ساز دفاعی زمین".

زره Perekonaniy Viktor.

در یک کلام، توسعه فناوری‌ها بر اساس بیش از حد، حتی در یک ساعت در دسترس برای مردم چشم‌انداز با شکوه قابل مشاهده است.

گولوونا » الکترودی » مواد WSP رسانایی بیش از حد دمای بالا - واقعیت promislova